[實用新型]用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機有效
| 申請號: | 201320745620.9 | 申請日: | 2013-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN203668497U | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 毛念新;嚴仲君;黃翔鄂;王新征 | 申請(專利權)人: | 上海嘉森真空科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 金碎平 |
| 地址: | 201812 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 非晶硒 薄膜 蒸發 鍍膜 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種鍍膜裝置,尤其涉及一種用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機。
背景技術
鍍膜機主要由進(出)料室、鍍膜室、線性硒蒸發源系統、冷卻水系統、真空系統及控制系統組成。作為硒薄膜的載體(基片),可以是筒鼓或薄板。非晶硒薄膜鍍膜一般使用純硒做蒸發用的原料,硒在化學元素周期表中屬于氧族元素,硒的熔點為217℃,沸點為684.9℃;硒具有光電效應性能,非晶硒薄膜在圖片、文件資料以及制圖系統等復制設備中作為重要的傳遞介質而存在。例如,復印機的硒鼓,DR平板探測器的非晶硒光電二極管陣列組件等。
蒸鍍非晶硒薄膜的基片一般為玻璃,基片的允許溫度范圍在50-80℃范圍內,基片溫度過高會使非晶態的硒轉變為晶體硒,而基片溫度過低會影響薄膜的結合強度以及基片的應力釋放,所以鍍膜時如何控制好基片溫度就成為影響非晶硒薄膜質量的重要因素。
傳統的控溫方式一般是在鍍膜室外表面分布有冷卻水管或冷卻水夾層,鍍膜室內部安裝用于烘烤的加熱器,二者結合來控制基片的溫度,基片溫度過高時不能及時將溫度降下來,產品合格率不穩定。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機,能夠保證鍍膜的均勻性,有效避免散熱不均勻或冷卻過快導致的基片損壞問題,提高產品合格率,且結構簡單,易于推廣應用。
本實用新型為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機,包括真空密封的鍍膜室,所述鍍膜室內設有蒸發源和基片,其中,所述鍍膜室的中間區域為鍍膜區,左右兩側為控溫區,所述蒸發源設置在鍍膜區內,所述鍍膜區和控溫區內設有導軌,所述基片的背面貼有銅背板并通過基片架固定在導軌上。
上述的用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機,其中,所述鍍膜室的控溫區底部設置有冷凝銅管,所述冷凝銅管內通入冷媒介質。
上述的用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機,其中,所述鍍膜室的控溫區頂部設置有冷卻銅板,所述冷卻銅板內部設置有冷卻水夾層,所述鍍膜區導軌下方設有氣動頂升裝置,當氣動頂升裝置抬升時,所述銅背板和冷卻銅板相接觸。
上述的用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機,其中,所述鍍膜室的一側控溫區設有冷卻氣氛入口,所述鍍膜室的兩側控溫區下方設有分子泵,所述分子泵通過高真空隔離閥和鍍膜室相連。
上述的用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機,其中,所述鍍膜室的頂部設有膜厚監控儀,所述膜厚監控儀位于蒸發源的上方。
上述的用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機,其中,所述蒸發源的周圍設有防污板。
上述的用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機,其中,所述鍍膜室外部四周表面排布有冷卻水帶。
本實用新型對比現有技術有如下的有益效果:本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機,通過在基片的背面貼有銅背板并通過基片架固定在導軌上,基片在鍍膜區蒸鍍非晶硒薄膜,當基片隨導軌運行進入鍍膜區時,在鍍膜區硒蒸發源工作時,基片的溫度隨著硒膜的蒸鍍過程會不斷升高,當接近臨界安全溫度時,基片沿著導軌移動并停留在左端或右端控溫區降溫,在溫度降至安全溫度后再返回鍍膜區繼續蒸鍍硒膜,此過程循環往復進行,直至厚度達到要求且溫度降至安全溫度后基片傳輸機構離開鍍膜室準備出料,從而保證鍍膜的均勻性,有效避免散熱不均勻或冷卻過快導致基片損壞,提高產品合格率。
附圖說明
圖1為本實用新型用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機結構示意圖。
圖中:
1鍍膜室??????2蒸發源?????????3基片
4基片架??????5冷卻氣氛入口???6高真空隔離閥
7分子泵??????8銅背板?????????9冷凝銅管
10冷卻銅板???11導軌??????????12防污板
13膜厚監控儀
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的描述。
圖1為本實用新型用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機結構示意圖。
請參見圖1,本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發鍍膜機包括真空密封的鍍膜室1,所述鍍膜室1內設有蒸發源2和基片3,其中,所述鍍膜室1的中間區域為鍍膜區,左右兩側為控溫區,所述蒸發源2設置在鍍膜區內,所述鍍膜區和控溫區內設有導軌11,所述基片3的背面貼有銅背板8并通過基片架4固定在導軌11上。
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