[實用新型]一種提高了BVceo的雙極型晶體管

有效

• 申請號: 201320723831.2
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN203536442U
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 張復才;陳強;沈美根;多新中
• 申請（專利權）人: 江蘇博普電子科技有限責任公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/36;H01L21/331
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林;汪慶朋

1.一種提高了BVceo的雙極型晶體管，其特征在于，

包括高濃度摻雜的N-型硅襯底（50），所述N-型硅襯底（50）的頂部設置有N-型外延硅（52）；

所述N-型外延硅（52）表面通過離子注入工藝預反摻雜有雜質P-型元素硼；

所述N-型外延硅（52）的兩側通過溝槽、兩步氧化和平坦化工藝技術形成有平坦氧化層（62）；

兩個所述平坦氧化層（62）之間的N-型外延硅（52）的上表面設有本征基區（66），所述本征基區（66）的內側設有兩個非本征基區（68），兩個所述非本征基區（68）之間設置有發射區（70）；所述本征基區（66）的外側通過熱過程雜質激活工藝形成的第二冶金結（64）；

所述N-型外延硅（52）的上面還淀積有介質材料（72），所述非本征基區（68）和發射區（70）處的介質材料（72）上通過光刻和刻蝕形成基極B和發射極E的接觸孔，所述接觸孔中設有金屬連接線條（76）。

2.根據權利要求1所述的提高了BVceo的雙極型晶體管，其特征在于，

所述N-型硅襯底（50）的晶向可以是<111>或者<100>。

3.根據權利要求1所述的提高了BVceo的雙極型晶體管，其特征在于，

所述N-型硅襯底（50）的電阻率不大于0.003Ωcm；所述N-型外延硅（52）的電阻率為0.1Ωcm至3.5Ωcm，厚度為2微米至20微米。