[實用新型]單片超小型MEMS芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320722916.9 | 申請日： | 2013-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN203568841U | 公開（公告）日： | 2014-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 華亞平 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽北方芯動聯(lián)科微系統(tǒng)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 蚌埠鼎力專利商標事務(wù)所有限公司 34102 | 代理人： | 王琪;陸淑賢 |
| 地址： | 233042*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單片 超小型 mems 芯片 | ||
1.單片超小型MEMS芯片，由蓋板、MEMS層和硅穿孔層鍵合而成，蓋板上至少有一個開口向上的下腔體，硅穿孔層上至少有一個開口向下的上腔體，上腔體、下腔體與MEMS層共同圍成密封腔，MEMS結(jié)構(gòu)位于密封腔內(nèi)，蓋板與MEMS層間有鍵合材料層，其特征在于：
所述上腔體的深度為1～5?μm；
所述硅穿孔層上刻蝕有隔離溝，隔離溝內(nèi)填充絕緣材料，隔離溝將硅穿孔層分為密封區(qū)、垂直電極和導電柱，MEMS結(jié)構(gòu)通過鍵合塊與導電柱電連接；
硅穿孔層外表面至少有一層絕緣層，絕緣層上開有通孔，絕緣層上至少有一層圖形化的金屬導線層，金屬導線層通過絕緣層上的通孔與導電柱和垂直電極電連接；
所述絕緣層上至少有一層鈍化層，金屬導線層包裹在鈍化層中，鈍化層上至少有一個壓焊窗口；
鈍化層上至少有一層屏蔽金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片超小型MEMS芯片，其特征在于：所述屏蔽金屬層覆蓋整個鈍化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片超小型MEMS芯片，其特征在于：所述屏蔽金屬層位于垂直電極和導電柱正上方。
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