[實用新型]一種薄膜生產設備有效
| 申請號: | 201320719392.8 | 申請日: | 2013-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN203639551U | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 秦文鋒;楊文志;李學軍 | 申請(專利權)人: | 中山市創科科研技術服務有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/27 |
| 代理公司: | 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 吳劍鋒 |
| 地址: | 528400 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜 生產 設備 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種薄膜生產設備。
背景技術
金剛石薄膜具有很高的硬度、較好的熱導性,耐磨損性,極佳的化學惰性,和從遠紅外區到深紫外區完全透明等優點。金剛石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半導體以及X射線窗口等領域有著廣泛的前景。
現有用于制備金剛石薄膜的裝置,其結構一般比較復雜,生產成本高。故此,現有用于制備金剛石薄膜的裝置有待于進一步完善。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足之處,提供一種結構簡單,制作方便,生產成本低,用于薄膜生產設備。
為了達到上述目的,本實用新型采用以下方案:
一種薄膜生產設備,包括有反應室,其特征在于:在所述的反應室下方設有氣體入口,在所述反應室內與所述氣體入口對應的位置上設有陰極,在所述的陰極上設有多個透氣孔,在所述陰極上方設有水冷陽極,基片設置在水冷陽極上,所述的水冷陽極與陰極通過導線相連接。
如上所述的一種薄膜生產設備,其特征在于在所述的陰極上內設有水冷容腔,在所述的陰極設有與所述水冷容器相連接的進水口。
如上所述的一種薄膜生產設備,其特征在于所述水冷陽極與陰極通過導線連接有電源。
如上所述的一種薄膜生產設備,其特征在于所述水冷陽極包括有陽極本體,在所述的陽極本體上設有水冷進口。
如上所述的一種薄膜生產設備,其特征在于所述水冷陽極與陰極之間的距離為2cm。
綜上所述,本實用新型的有益效果:
本實用新型工藝方法簡單,制作方便,生產成本相對較低。
附圖說明
圖1為本實用新型的示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖說明和具體實施方式對本實用新型做進一步描述:
如圖1所示,本實用新型一種薄膜生產設備,包括有反應室1,在所述的反應室1下方設有氣體入口2,在所述反應室1內與所述氣體入口2對應的位置上設有陰極3,在所述的陰極3上設有多個透氣孔4,在所述陰極3上方設有水冷陽極5,基片6設置在水冷陽極5上。
本實用新型中所述水冷陽極5與陰極3通過導線7連接有電源8。
本實用新型中在所述的陰極3上內設有水冷容腔,在所述的陰極3設有與所述水冷容器相連接的進水口9。
本實用新型中所述水冷陽極5包括有陽極本體51,在所述的陽極本體51上設有水冷進口52。所述水冷陽極5與陰極之間的距離為2cm。
本實用新型裝置使用過程中壓力約28KPa的反應氣體CH4+H2通過陰極3中的進入反應室1,水冷陽極5位于陰極3上方,基片6安裝在水冷陽極上,水冷陽極與陰極的距離為2cm,CH4/H2比率由0.3%變到4%,但流量固定在20sccm,所使用的典型放電條件為1KV和0.4nm/cm2,基片6溫度上升到800℃,其溫度可通過改變通入陽極的冷卻水的流量來改變。
采用本實用新型裝置制備的金剛石薄膜,其面間距、點陣常數、維氏硬度與自然金剛石對應值相符。
以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解,本實用新型不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理,在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下,本實用新型還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





