[實用新型]一種熔絲修調電路

有效

• 申請號: 201320719193.7
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN203675091U
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 楊健;趙建華
• 申請（專利權）人: 東莞賽微微電子有限公司
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦;李慶波

技術領域

本實用新型涉及集成電路技術領域，特別是涉及一種熔絲修調電路。

背景技術

帶基準的模擬芯片，通常都需要在生產出來后進行精確修調。修調就是根據客戶的需要選擇并固化芯片設計時集成的多個選項之一，通常是在晶元分割、封裝前進行。

在晶圓封裝前進行精確的修調需要使用昂貴的機臺，并且修調需要較長的時間找到最優值，成本很高。尤其當芯片需要修調的值各不相同，封裝前修調會造成很大的庫存成本。

另外，在晶圓封裝時，芯片切割和封裝會對芯片的物理特性產生影響，造成修調好的基準在封裝后會有偏差，達不到所要求的精度。

實用新型內容

本實用新型主要解決的技術問題是提供一種熔絲修調電路，能夠在晶圓封裝好后再進行修調，從而降低成本，并提高修調精度。

本實用新型為解決技術問題而采用的一個技術方案是：提供一種熔絲修調電路，包括開關控制模塊、修調值載入模塊、熔絲熔斷控制模塊以及修調模塊，修調模塊包括PMOS管、第一電阻、熔絲、NMOS管、第二電阻以及D觸發器，其中：PMOS管的源極與穩壓電源連接，PMOS管的柵極與開關控制模塊連接，PMOS管的漏極與第一電阻的一端連接，第一電阻的另一端與熔絲的一端連接，熔絲的另一端與NMOS管的源極連接，NMOS管的柵極與熔絲熔斷控制模塊連接，NMOS管的漏極接地，第二電阻的一端與NMOS管的源極連接，第二電阻的另一端接地，D觸發器的CP端口與修調值載入模塊連接，D端口與NMOS管的源極連接；在開關控制模塊輸出第一控制信號控制PMOS管的源極與漏極連接時：熔絲熔斷控制模塊輸出第二控制信號控制NMOS管的源極與漏極連接，其中穩壓電源的電壓值以及第一電阻的電阻值設置為令熔絲燒斷；或熔絲熔斷控制模塊輸出第三控制信號控制NMOS管的源極與漏極斷開，其中穩壓電源的電壓值、第一電阻的電阻值以及第二電阻的電阻值設置為令熔絲保持連通。

其中，在開關控制模塊在開始輸出第一控制信號控制PMOS管的源極與漏極連接時，修調值載入模塊延遲一預定時間后輸入具有上升沿的TTL脈沖信號至CP端口。

其中，第一控制信號、第二控制信號為TTL高電平，第三控制信號為TTL低電平。

其中，開關控制模塊、修調值載入模塊、熔絲熔斷控制模塊以及修調模塊封裝于同一芯片中。

其中，熔絲為多晶熔絲。

其中，第一電阻的電阻值為100歐姆，第二電阻的電阻值為2000歐姆。

本實用新型的有益效果是：區別于現有技術，本實用新型所提供的熔絲修調電路通過設置具有特定電路連接關系的開關控制模塊、修調值載入模塊、熔絲熔斷控制模塊以及修調模塊，并通過限定各模塊的信號輸入或輸出并進行相應處理，使得熔絲修調電路可在晶圓封裝后進行修調，從而避免了在晶圓封裝前進行調修，可有效降低成本，并提高修調精度。

附圖說明

圖1是根據本實用新型一優選實施例的熔絲修調電路的電路結構圖；

圖2是在本實用新型優選實施例中第一控制信號與TTL脈沖信號的時序關系圖。

具體實施方式

請參見圖1，圖1是根據本實用新型一優選實施例的熔絲修調電路的電路結構圖。

如圖1所示，本實用新型的熔絲修調電路包括開關控制模塊20、修調值載入模塊30、熔絲熔斷控制模塊40以及修調模塊10。其中，修調模塊10包括PMOS（positive?channel?Metal?Oxide?Semiconductor，P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管）管P1、第一電阻R1、熔絲103、NMOS（Negative?channel?Metal?Oxide?Semiconductor，N溝道金屬氧化物半導體）管N1、第二電阻R2以及D觸發器101。

以上各模塊的電路連接方式如下：PMOS管P1的源極與穩壓電源(未標示)連接，PMOS管P1的柵極與開關控制模塊20連接，PMOS管P1的漏極與第一電阻R1的一端連接，第一電阻R1的另一端與熔絲103的一端連接，熔絲103的另一端與NMOS管N1的源極連接，NMOS管N1的柵極與熔絲熔斷控制模塊40連接，NMOS管N1的漏極接地，第二電阻R2的一端與NMOS管N1的源極連接，第二電阻R2的另一端接地，D觸發器101的CP端口與修調值載入模塊30連接，D端口與NMOS管N1的源極連接。

以下將結合圖1在上述的電路架構的基礎上對本實用新型的修調方法作出具體介紹。

請進一步參見圖1，如圖1所示：