[實用新型]晶邊缺陷檢測裝置有效
| 申請號： | 201320717902.8 | 申請日： | 2013-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN203659814U | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 張鵬;張玨;陳思安;劉寅杰 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01N21/01 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 缺陷 檢測 裝置 | ||
1.一種晶邊缺陷檢測裝置，其特征在于，包括工藝腔、晶圓升降機構、圓形軌道、探測單元以及用于對準晶圓的凹口的起始阻隔器，所述工藝腔分成上腔室和下腔室，所述軌道設置于所述上腔室中，所述晶圓升降機構設置于所述工藝腔內并能夠將晶圓從下腔室抬升到上腔室的所述軌道的中心位置，并且使得所述晶圓和所述軌道在同一平面內，所述起始阻隔器設置于所述軌道的內側，所述探測單元能夠沿著所述軌道從所述起始阻隔器的一側繞到另一側以實現對晶邊的掃描檢測。?
2.根據權利要求1所述的晶邊缺陷檢測裝置，其特征在于，所述探測單元包括探測支架、驅動機構以及設置于所述探測支架上的三個探測組，所述驅動機構驅動所述探測支架沿所述軌道內側移動。?
3.根據權利要求2所述的晶邊缺陷檢測裝置，其特征在于，所述三個探測組包括上、中、下探測組，每個探測組包括同軸設置的光源和探頭，臨近探測組的探測范圍的交叉區域最少為本身探測范圍的5%。?
4.根據權利要求3所述的晶邊缺陷檢測裝置，其特征在于，所述中探測組設置于位于所述軌道內的所述晶圓的正側面，所述上探測組設置于所述位于所述軌道內的所述晶圓的斜上方，所述下探測組設置于所述位于所述軌道內的所述晶圓的斜下方。?
5.根據權利要求4所述的晶邊缺陷檢測裝置，其特征在于，所述上探測組和所述下探測組相對位于所述軌道內的晶圓對稱設置。?
6.根據權利要求2所述的晶邊缺陷檢測裝置，其特征在于，所述三個探測組的探測范圍能夠調節。?
7.根據權利要求1所述的晶邊缺陷檢測裝置，其特征在于，還包括機械手臂，所述下腔室的一側設有供所述機械手臂進出的入口。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
