[實(shí)用新型]串行存儲器芯片容量擴(kuò)充結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320707645.X
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN203644397U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王楠;張愛東;童紅亮
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫普雅半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10
• 代理公司: 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32227
• 代理人: 顧吉云

1.一種串行存儲器芯片容量擴(kuò)充結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括至少兩片相同容量的晶片，每片所述晶片的電源VCC和地VSS分別通過總線連接實(shí)現(xiàn)并聯(lián)，每片所述晶片的其他端口分別通過總線對應(yīng)連接實(shí)現(xiàn)并聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種串行存儲器芯片容量擴(kuò)充結(jié)構(gòu)，其特征在于，每片所述晶片的電源VCC和地VSS分別通過金屬層總線連接實(shí)現(xiàn)并聯(lián)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種串行存儲器芯片容量擴(kuò)充結(jié)構(gòu)，其特征在于，每片所述晶片的其他端口分別通過金屬層總線對應(yīng)連接實(shí)現(xiàn)并聯(lián)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種串行存儲器芯片容量擴(kuò)充結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬層為金屬掩膜板。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種串行存儲器芯片容量擴(kuò)充結(jié)構(gòu)，其特征在于，每片所述晶片通過內(nèi)部地址的修改分別設(shè)定成不同的芯片，包括一片主芯片和至少一片從芯片。