[實用新型]一種薄膜晶體管及陣列基板、顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320703747.4
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN203553175U
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張金中
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1362;H01L23/522
• 代理公司: 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及陣列基板、顯示器。

背景技術(shù)

液晶顯示作為平板顯示的一種主要方式，已經(jīng)實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。目前應(yīng)用于筆記本、臺式機以及平板電視的液晶顯示器以有源液晶顯示(Active?Matrix?Liquid?Crystal?Display，簡稱AM-LCD)模式為主，即通過薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，簡稱TFT)作為開關(guān)給像素電極輸出信號，控制液晶的偏轉(zhuǎn)。

現(xiàn)有技術(shù)中，在TFT結(jié)構(gòu)中，為了使柵極與源極和漏極間隔開來，需要在柵極與源極和漏極之間形成柵絕緣層，柵絕緣層常采用氮化硅等具有良好絕緣特性且與金屬電極具有較強結(jié)合性的材料。由于氮化硅具有較高的介電常數(shù)(目前量產(chǎn)使用的氮化硅材料的介電常數(shù)可達6～8F/m)，使得柵絕緣層的電容較高，可有效提升充電電流值，縮短充電時間；然而，較高的充電電流值會使柵極與源極和漏極之間的極間電容變大，當(dāng)TFT應(yīng)用于液晶顯示器時，該電容的大小直接影響顯示器的能耗，從而使得液晶顯示器的耗電量明顯變大。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的實施例提供一種薄膜晶體管及陣列基板、顯示器。可以解決柵極與源極和漏極間的電容較高的問題，從而降低顯示器的能耗。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案：

一方面，本實用新型實施例提供一種薄膜晶體管，包括柵極、柵絕緣層、有源層、以及源極和漏極；所述柵絕緣層包括粘附層和設(shè)置在所述粘附層上的有機樹脂層；其中，所述粘附層用于增強所述有機樹脂層的粘附性，所述有機樹脂層的介電常數(shù)為2～4F/m。

優(yōu)選的，所述粘附層的厚度為200～800所述有機樹脂層的厚度為10000～30000

進一步優(yōu)選的，所述粘附層包括氮化硅層、或氧化硅層、或氮氧化硅層。

可選的，所述有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體有源層、或低溫多晶硅半導(dǎo)體有源層、或有機半導(dǎo)體有源層。

優(yōu)選的，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。

又一方面，本實用新型實施例提供了一種陣列基板，包括上述任一項所述的薄膜晶體管、以及與所述薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括鈍化層和公共電極。

進一步優(yōu)選的，所述陣列基板還包括與所述薄膜晶體管的柵極同層且相連的柵線；所述公共電極包括多個電連接的條形電極，且多個所述條形電極中的部分被柵線隔開；其中，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，所述公共電極與所述像素電極分設(shè)在所述薄膜晶體管的柵絕緣層上下方。

再一方面，本實用新型實施例提供了一種顯示器，包括上述任一項所述的陣列基板。

本實用新型實施例提供了一種薄膜晶體管及陣列基板、顯示器，所述薄膜晶體管包括：柵極、柵絕緣層、有源層、以及源極和漏極；其中，所述柵絕緣層包括粘附層和設(shè)置在所述粘附層上的有機樹脂層；所述粘附層用于增強所述有機樹脂層的粘附性，所述有機樹脂層的介電常數(shù)為2～4F/m。由于在柵絕緣層中引入具有相對較小介電常數(shù)的有機樹脂層，可以減少柵極與源極和漏極之間的極間電容，當(dāng)所述薄膜晶體管用于顯示器時，可以顯著降低顯示器的能耗。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2為本實用新型實施例提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖3為本實用新型實施例提供的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖4為本實用新型實施例提供的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖5為本實用新型實施例提供的一種陣列基板中公共電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

10-襯底基板；20-柵極；201-柵線；30-柵絕緣層；301-粘附層；302-有機樹脂層；40-有源層；501-源極；502-漏極；60-像素電極；70-公共電極；701-條形電極；80-鈍化層。

具體實施方式