[實用新型]半導體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320689210.7 | 申請日： | 2013-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN203659849U | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 牛成玉;A·H·西蒙;T·博洛姆 | 申請（專利權）人： | 意法半導體公司;國際商業(yè)機器公司;格羅方德公司 |
| 主分類號： | H01L23/532 | 分類號： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;張寧 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：
在電介質層中形成的溝槽；
對所述溝槽進行加襯的第一擴散阻擋層；
對所述溝槽進行加襯的第一保形金屬襯墊層；
對所述溝槽進行加襯的第二擴散阻擋層；
對所述溝槽進行加襯的金屬種子層；以及
填充所述溝槽的金屬填充。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，進一步包括：對所述溝槽進行加襯的第二金屬襯墊層，所述第二金屬襯墊層在所述第二擴散阻擋層與所述金屬種子層之間。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述金屬填充的溝槽限定集成電路的互連結構。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，進一步包括：形成在所述金屬填充的溝槽上方的電介質帽層。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，進一步包括：形成在所述金屬填充的溝槽與所述電介質帽層之間的界面處的自對準金屬帽。
6.一種半導體裝置，其特征在于，包括：
包括溝槽的電介質層；
對所述溝槽進行加襯的夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構；
在所述夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構上方的金屬種子層；以及
填充所述溝槽的金屬填充；
其中所述夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構包括：夾在第一擴散阻擋層與第二擴散阻擋層之間的保形金屬襯墊層。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構進一步包括：在所述第二擴散阻擋層與所述金屬種子層之間的第二金屬襯墊層。
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