[實(shí)用新型]一種新型晶圓承載裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320687868.4 | 申請(qǐng)日： | 2013-11-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN203562415U | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 凌復(fù)華;吳鳳麗;國(guó)建花 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 沈陽(yáng)拓荊科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/683 | 分類號(hào)： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 沈陽(yáng)維特專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110179 遼寧省*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 承載 裝置 | ||
1.一種新型晶圓承載裝置，包括鋁加熱盤，其特征在于：在所述的鋁加熱盤外緣鑲嵌一個(gè)環(huán)，環(huán)的內(nèi)部設(shè)置一個(gè)凹槽，環(huán)的凹槽邊緣與晶圓的最外圓周下表面直接接觸，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓的支撐，在加熱盤中心處，安裝一個(gè)球，或是在位于同一圓周的盤面上，安裝多個(gè)均布的球。
2.如權(quán)利要求1所述的新型晶圓承載裝置，其特征在于：所述環(huán)的材質(zhì)采用鋁或陶瓷；上述球的材質(zhì)采用藍(lán)寶石或鋁或陶瓷。
3.如權(quán)利要求1所述的新型晶圓承載裝置，其特征在于：所述的環(huán)與加熱盤的接觸面是平面，環(huán)的上表面靠?jī)?nèi)側(cè)設(shè)有一凹臺(tái)階，該凹臺(tái)階略高于加熱盤的凸臺(tái)；球的最大高度始終低于環(huán)的凹臺(tái)階表面。
4.如權(quán)利要求2所述的新型晶圓承載裝置，其特征在于：所述的環(huán)采用鋁，該環(huán)的表面做硬質(zhì)陽(yáng)極化處理。
5.如權(quán)利要求2所述的新型晶圓承載裝置，其特征在于：所述的球表面鍍一層陶瓷，或是表面氟化處理生成一層氟化鋁。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
