[實用新型]容量為8G×8bit的立體封裝NAND FLASH存儲器

有效

• 申請號: 201320682924.5
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN203644770U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 王烈洋;葉振榮;黃小虎;蔣曉華;顏軍
• 申請（專利權）人: 珠海歐比特控制工程股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 廣東秉德律師事務所 44291
• 代理人: 楊煥軍

1.容量為8G×8bit的立體封裝NAND?FLASH存儲器，其特征在于，包括兩個4G×8bit的NAND?FLASH復合芯片，從下至上進行堆疊的一個引線框架層和兩個芯片層；引線框架層上設有用于對外連接的引腳，兩個NAND?FLASH復合芯片分別一一對應地設于兩個芯片層上；所述堆疊的一個引線框架層和兩個芯片層經灌封、切割后在周邊上露出電氣連接引腳，并在外表面設有鍍金連接線；鍍金連接線將所述一個引線框架層和兩個芯片層上露出的電氣連接引腳進行對應連接，引線框架層的引腳作為對外接入信號與對外輸出信號的物理連接物。

2.根據權利要求1所述的容量為8G×8bit的立體封裝NAND?FLASH存儲器，其特征在于，兩個NAND?FLASH復合芯片的數據線、#RE讀信號線、#WE寫信號線、#WP寫保護信號、ALE地址鎖存信號、CLE命令使能信號分別對應復合；兩個NAND?FLASH復合芯片的片選信號均并置。

3.根據權利要求1或2所述的容量為8G×8bit的立體封裝NAND?FLASH存儲器，其特征在于，每個4G×8bit的NAND?FLASH復合芯片由兩個NAND?FLASH原料芯片構成，所述NAND?FLASH原料芯片均采用存儲容量為2Gb、數據總線寬度為8位、48個引腳的封裝NAND?FLASH芯片。