[實(shí)用新型]一種X光高溫高壓催化反應(yīng)爐

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320682174.1
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN203540490U
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張曉哲;孫凡飛;姜政
• 申請（專利權(quán)）人: 沈陽邁維科技有限公司
• 主分類號: B01J3/04
• 分類號: B01J3/04;B01J19/12;B01J19/02
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

1.一種X光高溫高壓催化反應(yīng)爐，其特征在于，包括：氣體進(jìn)口通道、爐上蓋、爐腔、底座和氣體出口通道，所述氣體進(jìn)口通道通過連通孔與所述爐腔導(dǎo)通，所述爐腔內(nèi)側(cè)設(shè)置有屏蔽層，外壁上設(shè)置有窗口和鈹窗法蘭，所述窗口和所述鈹窗法蘭之間設(shè)置有保護(hù)層，所述保護(hù)層包括位于外側(cè)的鍍鋁鈹片層和位于內(nèi)側(cè)的高分子薄膜層，所述屏蔽層包括與保護(hù)層對應(yīng)設(shè)置的鈹片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X光高溫高壓催化反應(yīng)爐，其特征在于，所述屏蔽層為不銹鋼屏蔽層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X光高溫高壓催化反應(yīng)爐，其特征在于，所述氣體進(jìn)口通道的外側(cè)均勻地連接有至少一個氣體進(jìn)口支管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種X光高溫高壓催化反應(yīng)爐，其特征在于，所述爐上蓋設(shè)置有至少一個開口，所述開口與對應(yīng)的所述氣體進(jìn)口支管連通。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種X光高溫高壓催化反應(yīng)爐，其特征在于，所述屏蔽層包括第一屏蔽層和第二屏蔽層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種X光高溫高壓催化反應(yīng)爐，其特征在于，所述爐腔內(nèi)設(shè)置有加熱室，所述第二屏蔽層設(shè)置在所述加熱室外側(cè)，所述第一屏蔽層設(shè)置在所述第二屏蔽層外側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種X光高溫高壓催化反應(yīng)爐，其特征在于，所述第二屏蔽層設(shè)置有導(dǎo)通孔，所述加熱室設(shè)置有加熱室入口。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種X光高溫高壓催化反應(yīng)爐，其特征在于，所述第一屏蔽層與所述爐腔形成第一流通室，所述第二屏蔽層與所述第一屏蔽層形成第二流通室，所述第二屏蔽層與所述加熱室形成第三流通室。