[實用新型]一種降低磁場強度的磁控濺射鍍膜設備靶材結構有效
| 申請號: | 201320681659.9 | 申請日: | 2013-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN203559119U | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 衛金照;趙永剛;劉敬超 | 申請(專利權)人: | 河源市力友顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 517000 廣東省河源*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 降低 磁場強度 磁控濺射 鍍膜 設備 結構 | ||
1.一種降低磁場強度的磁控濺射鍍膜設備靶材結構,包括長方形靶材基體和多個設置于靶材基體表面的長方形磁鐵片,每個磁鐵片大小相同,所述靶材基體表面上、下兩側均形成有高阻區,靶材基體表面中部形成有低阻區,其特征在于:所述的上、下兩側高阻區均包括一排靠近靶材基體短邊且沿磁鐵片長邊方向依次等距分布的磁鐵片以及相互平行的三排沿磁鐵片短邊方向依次等距分布的磁鐵片,低阻區包括相互平行的三排沿磁鐵片長邊方向依次等距分布的磁鐵片。
2.根據權利要求1所述的降低磁場強度的磁控濺射鍍膜設備靶材結構,其特征在于:所述上側高阻區中的四排磁鐵片與下側高阻區中的四排磁鐵片相互對稱。
3.根據權利要求1所述的降低磁場強度的磁控濺射鍍膜設備靶材結構,其特征在于:所述低阻區中的三排磁鐵片長度相等。
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