[實用新型]一種快恢復二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320677202.0
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN203589041U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 吳迪;劉鉞楊;何延強;劉雋;凌平;包海龍;張宇
• 申請（專利權）人: 國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院;國網(wǎng)上海市電力公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 北京安博達知識產(chǎn)權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種快恢復二極管，所述快恢復二極管包括襯底和P區(qū)，所述P區(qū)在襯底上形成，共同構成PN結，其特征在于，所述P區(qū)包括由上到下依次設置的磷離子補償注入層和硼離子注入層。

2.如權利要求1所述的快恢復二極管，其特征在于，通過光刻和刻蝕氧化層形成有源區(qū)窗口，在所述有源區(qū)窗口上進行推結形成P+區(qū)和P區(qū)，所述P+區(qū)和P區(qū)分別如下：

所述P+區(qū)的厚度為1-10um；

所述P區(qū)的厚度為5-25um。