[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201320675635.2
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN203910785U
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: A.毛德;U.瓦爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬麗娜;王洪斌

1.一種半導體器件，其包括：

補償區，其包括p區和n區；

位于所述補償區上的包括柵電極的晶體管單元，所述柵電極被柵極電介質包圍；以及

布置在柵極電介質上的柵極金屬化層，

其特征在于，所述半導體器件還包括填滿穿過柵電極和柵極金屬化層之間的柵極電介質形成的接觸孔的插塞，以便電連接柵電極和柵極金屬化層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述插塞由多晶硅形成。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述插塞由阻擋材料層和在阻擋材料層上的鎢層形成。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，在一些實施例中，所述阻擋材料層包括導電陶瓷材料。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述導電陶瓷材料包括氮化鈦和氮化鉭之一。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述鎢層的厚度是所述接觸孔的寬度的至少一半。

7.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括位于阻擋材料層和接觸孔底部之間的金屬硅化物層。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述插塞在柵極電介質的上表面下面凹進。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述插塞具有填充了不同材料的空隙。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述不同材料包括空氣、真空、氧化硅、氮化硅和柵極金屬中的一個。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵電極被布置在溝槽中。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵電極具有小于晶體管單元節距的1/2的寬度。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵電極具有小于晶體管單元節距的1/3的寬度。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括襯底和位于襯底和補償區之間的緩沖層。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層在其下部的摻雜濃度大于其上部的摻雜濃度。

16.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述n區在其下部的摻雜濃度大于其上部的摻雜濃度。

17.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述晶體管單元還包括位于補償區中的體區和嵌入所述體區中的源極。

18.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件是超結器件。

19.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極金屬化層包括鋁、銅和硅中的一個。