[實用新型]半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320675472.8
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN203800051U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設計）人: U.瓦爾;A.維爾梅羅特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬麗娜;王洪斌

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

位于所述襯底上的緩沖層；

補償區(qū)，其包括位于所述緩沖層上的p區(qū)和n區(qū)；以及

位于所述補償區(qū)上的多個晶體管單元結構，

其特征在于，位于所述多個晶體管單元結構的第一部分下面的第一p區(qū)的深度比位于所述多個晶體管單元結構的第二部分下面的第二p區(qū)的深度更深。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個晶體管單元結構的第一部分的晶體管單元結構均勻地分布在所述半導體器件中。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個晶體管單元結構的第一部分的晶體管單元結構隨機地分布在所述半導體器件中。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個晶體管單元結構的第一部分的晶體管單元結構中的至少一部分被置于所述半導體器件的柵極焊盤下面或者在所述半導體器件的邊緣終止機構附近。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多個晶體管單元結構的第一部分的晶體管單元結構中的至少一部分不具有源區(qū)。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，至少所述多個晶體管單元結構的第二部分包括源區(qū)和體區(qū)。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層具有為所述晶體管單元結構的所述緩沖層、所述補償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的至少25%的厚度。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層具有為所述晶體管單元結構的所述緩沖層、所述補償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的至少30%的厚度。

9.根據(jù)權利要求6-8中的任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層具有為所述晶體管單元結構的所述緩沖層、所述補償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的至少1/3的厚度。

10.根據(jù)權利要求6-8中的任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層具有在所述晶體管單元結構的所述緩沖層、所述補償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的35％和45％之間的厚度。

11.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層具有朝向襯底增加的摻雜濃度。

12.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層包括所述襯底上的第一子層和第一子層上的第二子層，并且第二子層的摻雜濃度不同于第一子層的摻雜濃度。

13.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層的第二子層具有與所述補償區(qū)的n區(qū)相同的摻雜濃度并且是恒定的。

14.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述第一子層的摻雜濃度朝向襯底增加。

15.根據(jù)權利要求14所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層的第二子層具有與所述補償區(qū)的n區(qū)相同的摻雜濃度并且是恒定的，并且所述第二子層的摻雜濃度低于所述第一子層的摻雜濃度。

16.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件是超結器件。