[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201320675263.3
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN203659878U
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: A.維爾梅羅特;W.凱因德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬麗娜;王洪斌

1.一種半導體器件，包括：

具有第一和第二表面的半導體本體；

位于所述半導體本體的第一表面處的第一導電類型的源區；

第一導電類型的第一區和第二導電類型的第二區，分別沿從所述半導體本體的所述第一表面延伸到所述半導體本體的所述第二表面的方向；

位于所述源區和所述第一區之間的第二導電類型的體區，其中至少所述第二區接觸所述體區，所述第一導電類型的第一區和所述第二導電類型的第二區在所述半導體本體中交替排列；

第一導電類型的半導體基礎層，所述半導體基礎層的至少一部分在所述半導體本體中位于所述第一和第二區下面；以及

位于所述半導體基礎層下面的第一導電類型的漏區，

其特征在于，

所述第一導電類型的半導體基礎層的位于所述第一和第二區下面的所述部分的厚度至少大于所述第一導電類型的第一區的寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二區采用溝槽結構，并且所述第二區中的至少一些由被填充在其中的多個層構成。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，每個第二區中的多個層包括多個第二導電類型的摻雜層，并且每個第二區的鄰近所述源區的上部的寬度大于該第二區的鄰近所述漏區的下部的寬度。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，每個第二區中的多個層包括沉積在該第二區的內部側壁上的第二導電類型的摻雜層和被該第二導電類型的摻雜層包圍的未摻雜的硅層。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，每個第二區中的多個層包括沉積在該第二區的內部側壁上的第二導電類型的摻雜層和被該第二導電類型的摻雜層包圍的空隙區。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，每個第二區中的多個層包括沉積在該第二區的內部側壁上的第一導電類型的摻雜層、沉積在該第一導電類型的摻雜層上的第二導電類型的摻雜層和被該第二導電類型的摻雜層包圍的未摻雜或低摻雜的硅層。

7.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，每個第二區中的多個層包括沉積在該第二區的內部側壁上的第一導電類型的摻雜層、沉積在該第一導電類型的摻雜層上的第二導電類型的摻雜層和被該第二導電類型的摻雜層包圍的電介質層。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，位于所述第二區中的電介質層由SiO₂或Si₃N₄形成。

9.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，每個第二區中的多個層包括沉積在該第二區的內部側壁上的第一導電類型的摻雜層、沉積在該第一導電類型的摻雜層上的第二導電類型的摻雜層和被該第二導電類型的摻雜層包圍的空隙區。

10.根據權利要求1-9中的任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括介于所述第二導電類型的體區和所述第二區之間并且包圍所述第二導電類型的體區的第二導電類型的另一體區，所述第二導電類型的另一體區的摻雜濃度低于所述第二導電類型的體區的摻雜濃度并且高于位于所述第二區中的第二導電類型的摻雜層的摻雜濃度。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括位于所述源區上方的將所述源區電連接到外部的接觸插塞結構。

12.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體基礎層由多個子層構成。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體基礎層由在所述半導體本體的第二表面之上的具有第一摻雜濃度的第一層和在所述第一層之上的具有小于第一摻雜濃度的第二摻雜濃度的第二層構成。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體基礎層的所述第一層由多個子層構成。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其特征在于，所述多個子層的每一個的摻雜濃度沿著從所述源區到所述漏區的方向逐漸升高。

16.根據權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體基礎層的所述第一層和所述第二層均由多個子層構成。