[實用新型]超結器件和包括該超結器件的半導體結構

有效

• 申請號: 201320674971.5
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN203659870U
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: F.希爾勒;A.毛德
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬麗娜;王洪斌

1.一種超結器件，包括：

具有第一和第二表面的半導體本體；

在第一表面處位于所述半導體本體中的第一導電類型的源區；

在第二表面處位于所述半導體本體中的第一導電類型的漏區；

位于所述源區和所述漏區之間的所述半導體本體中的第二導電類型的體區；

位于所述體區和所述漏區之間的所述半導體本體中的漂移區，所述漂移區是由沿平行于所述第一表面的方向交替排列的第一導電類型的第一區和第二導電類型的第二區形成的；和

溝槽柵結構，其從所述第一表面延伸到所述漂移區的所述第一區中，其中所述溝槽柵結構包括在所述半導體本體中的溝槽、在所述溝槽中的柵電極和位于所述半導體本體和所述柵電極之間并圍繞所述柵電極的第一柵極氧化層，

其特征在于，

所述第一柵極氧化層的位于所述柵電極的底部和所述溝槽的底部之間的那部分的厚度在150?nm－600?nm的范圍內。

2.根據權利要求1所述的超結器件，其特征在于，所述溝槽的深度>?2?μm。

3.根據權利要求2所述的超結器件，其特征在于，所述溝槽的深度>?3?μm。

4.根據權利要求1所述的超結器件，其特征在于，所述第一柵極氧化層的位于所述柵電極的底部和所述溝槽的底部之間的那部分的厚度在300?nm－600?nm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的超結器件，其特征在于，位于所述柵電極的側壁和所述溝槽的側壁之間的所述第一柵極氧化層的任何部分在單元區中都不大于150?nm。

6.一種半導體結構，包括：

由多個根據權利要求1所述的超結器件構成的有源單元區；

包圍所述有源單元區的半導體區和形成在所述半導體區上的第二柵極氧化層；

嵌入所述第二柵極氧化層中的柵極滑道；和

嵌入所述第二柵極氧化層中的場板，

其特征在于，

在所述場板下面的第二柵極氧化層的厚度大于在所述柵極滑道的至少一部分下面的第二柵極氧化層的厚度。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，在所述柵極滑道的一個末端處，所述柵極滑道的至少一部分位于所述半導體區中的溝槽內，并且在所述溝槽內被所述第二柵極氧化層包圍。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括位于所述第二柵極氧化層上的柵極焊盤，所述柵極焊盤通過至少一個通孔與所述柵極滑道電連通。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述場板與所述超結器件的漏極短接以形成所述半導體結構的終止機構。

10.根據權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體區由第一導電類型的第一區和第二導電類型的第二區沿所述半導體區的寬度方向交替排列而構成。

11.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，在所述柵極滑道的另一個末端下面的第二柵極氧化層的厚度與在所述場板下面的第二柵極氧化層的厚度相同。

12.根據權利要求10所述的半導體結構，其特征在于，位于所述半導體區中且在所述柵極滑道下面的所述第二區連接到所述超結器件的體區或者通過接觸連接到所述超結器件的源電極。

13.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，在所述柵極滑道的所述至少一部分下面的第二柵極氧化層的厚度小于150?nm。