[實(shí)用新型]一種SE太陽(yáng)能電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320673519.7
• 申請(qǐng)日: 2013-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN203607424U
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 童銳;張小剛;儲(chǔ)鳳舞;楊大誼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 太極能源科技（昆山）有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0236
• 分類號(hào): H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種SE太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)

目前，發(fā)展高效電池技術(shù)是提高太陽(yáng)能電池效率的關(guān)鍵。比較成熟的高效電池技術(shù)以選擇性發(fā)射極(selective?emitter，SE)電池為主。SE電池是選擇性擴(kuò)散電池，有兩個(gè)特征：1)在柵線接觸區(qū)域(柵線下及其附近)形成高摻雜深擴(kuò)散區(qū)；2)在光照區(qū)域形成低摻雜淺擴(kuò)散區(qū)。通過(guò)對(duì)發(fā)射區(qū)選擇性摻雜，在柵線接觸區(qū)域和其他區(qū)域?qū)崿F(xiàn)不同擴(kuò)散方阻的效果，降低了串聯(lián)電阻。其中，金屬化區(qū)域（柵線接觸區(qū)）摻雜濃度高，結(jié)深大，燒結(jié)過(guò)程中金屬等雜質(zhì)不易進(jìn)入耗盡區(qū)形成深能級(jí)，反向漏電小，并聯(lián)電阻高；光照區(qū)域摻雜濃度低，短波響應(yīng)好，短路電流高；橫向擴(kuò)散高低結(jié)前場(chǎng)作用明顯，利于光生載流子收集等優(yōu)點(diǎn)。

常規(guī)電池片制程(以P型硅片為例)包括以下工藝步驟：硅片-制絨-擴(kuò)散-刻蝕-鍍膜-印刷-燒結(jié)。現(xiàn)有的幾種制作SE電池的方法如下:

(1)常規(guī)擴(kuò)散（輕擴(kuò)散,高阻值）后在硅片正面沿細(xì)柵線進(jìn)行激光處理，使細(xì)柵線區(qū)域方阻低于其他區(qū)域，其他制程不變，以得到SE電池；

(2)常規(guī)制程制絨，擴(kuò)散（輕擴(kuò)散，高阻值），刻蝕，鍍膜后，沿細(xì)柵線區(qū)域噴磷漿，再用激光處理進(jìn)行二次擴(kuò)散，然后絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)得到SE電池。

(3)常規(guī)制程制絨，擴(kuò)散，刻蝕，鍍膜后，先沿細(xì)柵線印刷磷漿，再經(jīng)過(guò)高溫在細(xì)柵線區(qū)域進(jìn)行二次擴(kuò)散，然后絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)得到SE電池。

目前單晶電池制絨采用的是堿制絨技術(shù)，形成金字塔結(jié)構(gòu)；多晶電池制絨采用的是酸制絨技術(shù)，形成蜂窩狀的絨面結(jié)構(gòu)；這兩種絨面結(jié)構(gòu)對(duì)于印刷燒結(jié)時(shí)漿料和硅片的接觸性來(lái)說(shuō)，多晶的蜂窩狀結(jié)構(gòu)和正銀漿料的歐姆接觸較好，接觸電阻（Rs）較低，而單晶金字塔絨面結(jié)構(gòu)的光吸收更好，轉(zhuǎn)換效率更高。二者性能不能兼顧。

因此，提供一種新的SE太陽(yáng)能電池以同時(shí)提高光吸收率和降低接觸電阻，綜合提高電池性能實(shí)屬必要。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種SE太陽(yáng)能電池，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的SE太陽(yáng)能電池光吸收不好、電極接觸電阻高的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種SE太陽(yáng)能電池，包括：

第一類型半導(dǎo)體襯底；

第二類型輕摻雜層，形成于所述第一類型半導(dǎo)體襯底表面；

第二類型重?fù)诫s層，包括若干分立排列的第二類型重?fù)诫s區(qū)；所述第二類型重?fù)诫s區(qū)形成于所述第二類型輕摻雜層中并深入所述第二類型輕摻雜層下方的第一類型半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

若干上電極，形成于所述重?fù)诫s層表面；

減反射膜，形成于所述上電極之間的第二類型輕摻雜層表面；

下電極，形成于所述第一類型半導(dǎo)體襯底背面；

所述上電極與所述第二類型重?fù)诫s層的接觸面為蜂窩狀絨面結(jié)構(gòu)；所述上電極之間的第二類型輕摻雜層及減反射膜表面為金字塔絨面結(jié)構(gòu)。

可選地，所述第一類型半導(dǎo)體襯底為單晶硅襯底。

可選地，所述第二類型重?fù)诫s區(qū)為長(zhǎng)條狀。

可選地，所述減反射膜為氮化硅層。

可選地，所述第二類型輕摻雜層與所述第一類型半導(dǎo)體襯底之間形成第一PN結(jié)，所述第二類型重?fù)诫s層與所述第一類型半導(dǎo)體襯底之間形成第二PN結(jié)，所述第二PN結(jié)的結(jié)深大于所述第一PN結(jié)的結(jié)深。

可選地，所述上電極的材料包括Ag；所述下電極的材料包括Ag及Al中的一種或多種。

如上所述，本實(shí)用新型的SE太陽(yáng)能電池，具有以下有益效果：本實(shí)用新型通過(guò)改善SE太陽(yáng)能電池的絨面結(jié)構(gòu)，形成蜂窩狀/金字塔復(fù)合絨面結(jié)構(gòu)，從而提高SE太陽(yáng)能電池的效率。本實(shí)用新型的SE太陽(yáng)能電池中，上電極與半導(dǎo)體襯底的接觸面為蜂窩狀絨面結(jié)構(gòu)，接觸更加良好，接觸電阻低，而光照區(qū)域表面為金字塔絨面結(jié)構(gòu)，光吸收更好，從整體上提升電池光電轉(zhuǎn)換效率。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為本實(shí)用新型的SE太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1????第一類型半導(dǎo)體襯底

2????蜂窩狀絨面結(jié)構(gòu)

3????金字塔絨面結(jié)構(gòu)

4????第二類型輕摻雜層

5????第二類型重?fù)诫s層

6????減反射膜

7????上電極

8????下電極

具體實(shí)施方式