[實用新型]一種生成直流偏置的裝置

有效

• 申請號: 201320673342.0
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN203825517U
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 陳敏;劉文;李紅霞
• 申請（專利權）人: 意法半導體研發(深圳)有限公司
• 主分類號: G05F1/46
• 分類號: G05F1/46;G05F1/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;龐淑敏

1.一種生成直流偏置的裝置，其特征在于，所述直流偏置生成裝置包括：?

電壓檢測器(310)，被配置用于檢測系統供電電壓并在輸出端處產生觸發信號；?

控制信號發生器(320)，其被配置用于接收所述觸發信號并根據所述觸發信號生成用于控制直流偏置的生成的控制信號；以及?

直流偏置發生器(330)，其被配置用于在控制輸入端接收所述控制信號，并根據所述控制信號生成直流偏置，以使得在所述供電電壓為第一電壓時，生成具有第一值的所述直流偏置，而在所述供電電壓為異于所述第一電壓的第二電壓時，生成具有第二值的所述直流偏置，其中所述第一值異于所述第二值。?

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述直流偏置發生器(330)被配置用于在所述第一值與所述第二值之間平滑地過渡。?

3.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述控制信號發生器(320)包括電感電路和鏡像電路，所述電感電路連接在所述電壓檢測器的輸出端與地之間，流經所述電感電路的電流通過所述鏡像電路生成鏡像電流，以作為所述控制信號注入至所述直流偏置發生器的控制輸入端。?

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述電感電路(320)包括電感器L或等效電感電路。?

5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述等效電感電路包括電阻電路、電容電路以及晶體管電路，所述電阻電路和所述電容電路串聯，所述晶體管電路連接在所述鏡像電路與接地之間，且與所述電阻電路和所述電容電路的中間節點連接。?

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述電阻電路包括電阻器Ro，所述電容電路包括電容器C1，所述晶體管電路包括晶體管M1，所述電阻器Ro和所述電容器C1串聯連接在所述電壓檢測?器(310)的輸出端與地之間，所述晶體管M1的源極接地，所述晶體管M1的柵極和漏極分別與所述電阻器Ro和所述電容器C1的中間節點和所述鏡像電路的電流輸入端相連，所述鏡像電路的鏡像輸出端與所述直流偏置發器(330)的所述控制輸入端連接。?

7.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述電阻電路包括被配置用于實現倍增等效電阻的電阻倍增器。?

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述電阻倍增器包括電阻器Ro，NMOS晶體管M3和PMOS晶體管M4，其中所述電阻器Ro與NMOS晶體管M3構成具有源極負反饋的N型共源極級，且所述述電阻器Ro與PMOS晶體管M4構成具有源極負反饋的P型共源極級。?

9.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述晶體管電路包括以共源極方式連接的NMOS晶體管M1和NMOS晶體管M2，所述NMOS晶體管M1和所述NMOS晶體管M2的源極經過尾電流源而接地，所述NMOS晶體管M1的漏極接汽車信號處理器的內部電源電壓V_DD，其柵極與所述電阻電路和所述電容電路的中間節點連接，所述NMOS晶體管M2的漏極與源極連接在一起并與NMOS晶體管M3和PMOS晶體管M4的柵極連接，且通過二極管D1連接至所述鏡像電路的電流輸入端。?

10.根據權利要求5、7至9其中任一項所述的裝置，其特征在于，所述電容電路包括用于實現倍增等效電容的電容倍增器。?

11.根據權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述電容倍增器包括基于放大器的電流型電容倍增電路。?

12.根據權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述電容倍增器包括基于晶體管的電流型電容倍增電路。?

13.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述直流偏置發生器包括放大器A2，以及電阻器R1和電阻器R2，其中所述電阻器R1和所述電阻器R2串聯連接在地與放大器的輸出端之間，且其中間節點與所述放大器A2的負極性輸入端相連，所述放大器A2?的正極性輸入端接收內部帶隙信號Vbg。?

14.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述第一電壓大于所述第二電壓，以及所述第一值大于所述第二值。?

15.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述電壓檢測器(310)被配置為通過檢測所述系統供電電壓來檢測車輛引擎的啟停操作。?