[實用新型]樣品制作裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320672681.7 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN203536387U | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李震遠;史江北;鄭曉剛;李愛民;劉競文 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 樣品 制作 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造領域,尤其涉及一種樣品制作裝置。
背景技術
在半導體制造過程中,需要對半導體晶圓進行不同參數的測量,以監(jiān)控生產工藝是否符合標準,生產出的半導體晶圓良率是否合格。針對不同的參數量測,需要采用不同的方法,也需要使用不同的測試樣品。
其中一種參數量測是測量樣品的電阻率和載流子濃度延深度分布情況,通常采用擴展電阻探針(Spreading?Resistance?Probe,SRP)進行量測。SRP是一種利用探針測試樣品表面以及沿深度的擴展電阻值變化曲線,進而給出樣品的電阻率和載流子濃度延深度分布情況的測試方法,請參考圖1和圖2,其中,探針測試樣品10具有一襯底11和位于襯底11上的外延層(epi?layer)12,探針測試樣品10中具有一用于分析的分析區(qū)域15,探針測試樣品10還具有一個斜切面13,斜切面13上露出部分外延層12以及部分襯底11。在測量過程中,所述擴展電阻探針(probes)22沿著虛線方向對露出部分的外延層12中的分析區(qū)域15進行取點量測。在半導體工業(yè)中SRP經常用于外延層、擴散和離子注入情況的測量等。
由于所得擴展電阻值變化曲線的深度L1坐標直接由制備斜切面13角度α的正切值和擴展電阻探針22步進相乘得到,即L1=S1×tanα,其中L1為外延層12的深度,S1為擴展電阻探針22在露出部分的所述外延層12表面步進距離,如圖2所示,所以SRP測量所使用的樣品制備質量的好壞會嚴重影響著SRP數據的準確程度。
現有技術中,制備探針測試樣品10采用樣品臺30,所述樣品臺30一般為圓柱形,所述樣品臺30的一端具有兩個斜面31、32,兩個斜面31、32的大小相等,所述兩個斜面31、32相交形成一中線33,所述樣品臺30的軸心AA’穿過所述中線33,所述兩個斜面31、32分別與水平線的夾角為固定夾角α,如圖3所示,將所述探針測試樣品10粘貼在其中一個所述斜面32上,制作所述探針測試樣品10時,沿著水平虛線進行對所述探針測試樣品10進行切割,從而能夠得到如圖1以及圖2所示的斜切面13。
對于帶圖形(pattern)的所述探針測試樣品10,由于所述探針測試樣品10上分析區(qū)域15較窄,當所述分析區(qū)域15的寬度剛好等于兩擴展電阻探針22之間的距離(約80um)時,需要將所述探針測試樣品10端正地固定在所述斜面32上(即所述探針測試樣品10的一側邊與所述中線33相垂直,如圖4a所示),方可保證所述擴展電阻探針22剛好可以沿著所述分析區(qū)域15的邊界進行取點測量。然而,在現有技術中,所述探針測試樣品10經常粘貼不正(即所述探針測試樣品10的一側邊與所述中線33不垂直,如圖4b所示),或者由于手工粗切樣品的誤差,造成所述探針測試樣品10的側邊與所述分析區(qū)域15的邊界不垂直(如圖4c所示),從而造成在分析所述探針測試樣品10時,使得所述擴展電阻探針22落在所述分析區(qū)域15之外,如圖5所示,影響分析結果。
制備出高質量的SRP樣品,是提高SRP數據測量的精度的關鍵。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種樣品制作裝置,用于改善手工粘貼探針測試樣品時出現位置偏差的問題。
為了實現上述目的,本實用新型提出一種樣品制作裝置,用于輔助在樣品臺上制備探針測試樣品,所述樣品臺的一端具有兩個斜面,所述兩個斜面相交形成一中線,所述探針測試樣品位于至少一所述斜面上,所述樣品制作裝置包括一固定臺,所述固定臺為可容納所述樣品臺的筒狀,所述固定臺的一端設置有一目鏡,所述目鏡正對所述中線,所述固定臺具有至少一用于調整所述探針測試樣品的開口。
進一步的,所述目鏡的視野中具有兩個相垂直的定位線。
進一步的,所述兩個相垂直的定位線相交成十字形。
進一步的,所述固定臺還具有至少一用于固定所述樣品臺的固定裝置,所述固定裝置位于所述固定臺的側壁上。
進一步的,所述固定裝置為螺絲。
進一步的,所述樣品臺為圓柱形,所述兩個斜面位于圓柱的一側端,所述固定臺為圓筒狀。
進一步的,所述樣品臺的外徑≤所述固定臺的內徑≤所述樣品臺的外徑+1毫米。
進一步的,所述目鏡的中心位于圓筒狀的所述固定臺的中軸線上。
進一步的,所述目鏡固定在所述固定臺的一端的一平臺上。
進一步的,所述開口位于所述平臺上。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果主要體現在:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





