[實用新型]一種快速加熱和冷卻的托盤有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320667419.3 | 申請日： | 2013-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN203536392U | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉書謙 | 申請（專利權(quán)）人： | 精曜(蘇州)新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 215124 江蘇省蘇州市吳中區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 快速 熱和 冷卻 托盤 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種快速加熱和冷卻的托盤，其特征在于：它由帶有凹槽的托盤基座（1）和隔溫層（2）組成，所述的托盤基座（1）用于放置元件基板（3），所述的隔溫層（2）的下端固定在托盤基座（1）的凹槽邊緣上，隔溫層（2）的上端用于支撐元件基板（3），所述的隔溫層（2）導(dǎo)熱系數(shù)小于1W/(m·K)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤，其特征在于：所述的隔溫層（2）厚度為0.1?~?3mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的托盤，其特征在于：所述的隔溫層（2）的上、下兩端分別與元件基板（3）和托盤基座（1）點接觸或線接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤，其特征在于：所述的隔溫層（2）采用氧化鋯或多孔陶瓷或氣凝膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤，其特征在于：所述的托盤基座（1）用于在太陽能電池制造過程中放置太陽能電池基板。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
