[實用新型]具有高負(fù)電壓的自舉供電MOSFET/IGBT驅(qū)動線路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320666507.1
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN203537222U
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 侯典立;張慶范;劉曉
• 申請（專利權(quán)）人: 山東大學(xué)
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 張勇

1.一種具有高負(fù)電壓的自舉供電MOSFET/IGBT驅(qū)動線路，包括：上位功率管M₁驅(qū)動電路和下位功率管M₂驅(qū)動電路，其特征是，

上位功率管M₁驅(qū)動電路包括：自舉供電線路、上位推挽驅(qū)動線路、上位負(fù)壓生成線路和上位保護(hù)線路；自舉供電線路、上位推挽驅(qū)動線路和上位保護(hù)線路依次串聯(lián)連接，上位負(fù)壓生成線路與自舉供電線路、上位推挽驅(qū)動線路和上位功率管M₁分別連接；所述上位負(fù)壓生成線路產(chǎn)生功率管關(guān)斷時所需負(fù)壓，所述上位負(fù)壓生成線路的電壓大小隨主功率的增大而增加，所述電壓大小可超過低壓直流穩(wěn)壓電源供電電壓；上位功率管M₁導(dǎo)通時不經(jīng)過上位負(fù)壓生成線路的電容；

下位功率管M₂驅(qū)動電路包括：低壓直流穩(wěn)壓電源、下位推挽驅(qū)動線路、下位負(fù)壓生成線路和下位保護(hù)線路；直流穩(wěn)壓電源、下位推挽驅(qū)動線路和下位保護(hù)線路依次串聯(lián)連接，下位負(fù)壓生成線路并聯(lián)接入下位推挽驅(qū)動線路和下位功率管M₂之間。

2.如權(quán)利要求1所述的一種具有高負(fù)電壓的自舉供電MOSFET/IGBT驅(qū)動線路，其特征是，所述自舉供電線路包括二極管D₉和電容C₁₄并聯(lián)連接。

3.如權(quán)利要求1所述的一種具有高負(fù)電壓的自舉供電MOSFET/IGBT驅(qū)動線路，其特征是，所述上位負(fù)壓生成線路包括：穩(wěn)壓二極管D₁₀和電容C₁₆并聯(lián)支路的一端與上位推挽驅(qū)動線路下端晶體管的發(fā)射極連接，另一端與自舉供電線路的電容C₁₄連接；二極管D₁₁、二極管D₁₂與所述穩(wěn)壓二極管D₁₀和電容C₁₆的并聯(lián)支路依次串聯(lián)連接，二極管D₁₁的負(fù)極與二極管D₁₂的負(fù)極連接，二極管D₁₁的正極與低壓直流穩(wěn)壓電源的正極連接，電感L₂的一端接在二極管D₁₁與二極管D₁₂之間、另一端與自舉供電線路的電容C₁₄連接。

4.如權(quán)利要求1所述的一種具有高負(fù)電壓的自舉供電MOSFET/IGBT驅(qū)動線路，其特征是，所述下位負(fù)壓生成線路包括：穩(wěn)壓二級管D₁₃和電容C₁₉并聯(lián)連接后與電阻R₁₃串聯(lián)連接。

5.如權(quán)利要求1所述的一種具有高負(fù)電壓的自舉供電MOSFET/IGBT驅(qū)動線路，其特征是，所述上位推挽驅(qū)動線路的輸入端信號采用電容耦合。

6.如權(quán)利要求1所述的一種具有高負(fù)電壓的自舉供電MOSFET/IGBT驅(qū)動線路，其特征是，所述下位負(fù)壓生成線路產(chǎn)生的負(fù)電壓施加在下位功率管M₂的源極和低壓直流穩(wěn)壓電源地之間。

7.如權(quán)利要求1所述的一種具有高負(fù)電壓的自舉供電MOSFET/IGBT驅(qū)動線路，其特征是，所述下位負(fù)壓生成線路產(chǎn)生的負(fù)電壓施加在上位推挽驅(qū)動線路下端晶體管的發(fā)射極和上位功率管M₁的源極之間。