[實用新型]一種用于密集波分復用系統的大張角寬帶自準直光探測器

有效

• 申請號: 201320665733.8
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN203607423U
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 范鑫燁;郭進;馮俊波;藤婕;崔乃迪
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;G02B6/42
• 代理公司: 安徽匯樸律師事務所 34116
• 代理人: 丁瑞瑞

1.一種用于密集波分復用系統的大張角寬帶自準直光探測器，其特征在于：包括襯底（1）、光子晶體（2）、波導（3）、垂直多層介質膜結構（4）與InGaAs?PIN光電二極管（5），所述光子晶體（2）制備在襯底（1）的前端，所述垂直多層介質膜結構（4）生長在襯底（1）的后端的正面，所述波導（3）連接襯底（1）前端的光子晶體（2）和后端的垂直多層介質膜結構（4），所述InGaAs?PIN光電二極管（5）鍵合在垂直多層介質膜結構（4）的上方。

2.根據權利要求1所述的用于密集波分復用系統的大張角寬帶自準直光探測器，其特征在于：所述襯底（1）是SOI襯底或者是半導體襯底。

3.根據權利要求1所述的用于密集波分復用系統的大張角寬帶自準直光探測器，其特征在于：所述襯底（1）采用SOI襯底，該SOI襯底的結構自下而上為：Si襯底、SiO2層、Si層。

4.根據權利要求1所述的用于密集波分復用系統的大張角寬帶自準直光探測器，其特征在于：所述光子晶體（2）的結構為：由三角對稱分布的空氣柱構成橢圓孔的陣列排布。

5.根據權利要求4所述的用于密集波分復用系統的大張角寬帶自準直光探測器，其特征在于：所述光子晶體（2）的晶格常數x=704nm，橢圓孔的長軸半徑x1=632nm，橢圓孔的短軸半徑x2=285nm。

6.根據權利要求1所述的用于密集波分復用系統的大張角寬帶自準直光探測器，其特征在于：所述垂直多層介質膜結構（4）具有四個反射膜：第一反射膜（41）、第二反射膜（42）、第三反射膜（43）、第四反射膜（44），相鄰的兩個反射膜之間的空間成為腔：第一腔（A）、第二腔（B）、第三腔（C），相鄰的兩個反射膜彼此平行。

7.根據權利要求1所述的用于密集波分復用系統的大張角寬帶自準直光探測器，其特征在于：所述InGaAs?PIN光電二極管（5）的結構為自上而下的：InGaAs?p型接觸電極/InP間隔層/InGaAs吸收層/InP?n型接觸電極。

8.根據權利要求7所述的用于密集波分復用系統的大張角寬帶自準直光探測器，其特征在于：所述InGaAs?PIN光電二極管（5）最上層的InGaAs?p型接觸電極上方具有環形p型接觸電極，InP?n型接觸電極上方四周具有一臺面，該臺面上具有環形n型接觸電極。