[實用新型]磁傳感器以及磁傳感器裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320665569.0 | 申請日: | 2013-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN203536475U | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 福中敏昭;長谷川秀則 | 申請(專利權(quán))人: | 旭化成微電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L43/06 | 分類號: | H01L43/06;H01L43/04;G01R33/07 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳感器 以及 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種磁傳感器,特別是涉及一種在薄型化的小片中電流反向流過的情況下也能夠防止漏電流增大的磁傳感器。
背景技術(shù)
作為利用了霍爾效應(yīng)的磁傳感器,例如已知有檢測磁(磁場)并輸出與其大小成比例的模擬信號的霍爾元件、檢測磁并輸出數(shù)字信號的霍爾IC。例如專利文獻1公開了具備引線框、小片(即磁傳感器芯片)以及金屬細線的磁傳感器。在該磁傳感器中,引線框具有為了獲得與外部的電連接而配置在四角的端子,小片裝載于引線框的島。而且,小片所具有的電極與引線框所具有的各端子通過金屬細線相連接。
專利文獻1:日本特開2007-95788號公報
實用新型內(nèi)容
實用新型要解決的問題
另外,在專利文獻1所公開的磁傳感器中,也可以將引線框所具有的配置在四角的引線端子中的、連接在接地電位的端子(以下稱為接地端子)與島形成為一體。由此,島的電位成為接地電位,能夠防止電荷積存于島,因此能夠抑制在磁傳感器檢測磁時產(chǎn)生噪聲。
另外,近年來,伴隨著電子設(shè)備的小型化等而磁傳感器的小型、薄型化也得以發(fā)展。例如,磁傳感器的封裝后的尺寸(即封裝尺寸)實現(xiàn)了縱1.6mm、寬0.8mm、厚度0.38mm。另外,通過進一步使小片變薄還能夠使封裝尺寸的厚度成為0.30mm。
在此,當(dāng)如上述那樣磁傳感器的小型、薄型化得以進步時,在將磁傳感器安裝在布線基板或者插座等時在俯視的情況下看錯磁傳感器的朝向的可能性變高。例如圖的8(a)所示,在將磁傳感器300正確地安裝于布線基板400的情況下,引線框的接地端子311與布線基板400的接地用布線411連接,引線框的電源端子313與布線基板400的電源用布線413連接。但是,當(dāng)磁傳感器300如上述那樣小型化時,用肉眼難以識別印刷在封裝表面的文字、符號等(例如,A、B、C、D),難以根據(jù)這些符號等來判斷磁傳感器300的朝向。其結(jié)果,導(dǎo)致例如圖8的(b)所示那樣反向地安裝磁傳感器300而將接地端子311與電源用布線413連接、將電源端子313與接地用布線411連接的可能性變高。
此外,假設(shè)在將磁傳感器300如圖8的(b)所示那樣反向安裝的情況下,電流從接地端子311向電源端子313(即反向)流過,但是能夠在其它的引線端子312、314之間測量電位差。另外,島315固定為電源電位,蓄積于島315的電荷保持為固定量,因此也能夠抑制產(chǎn)生噪聲。因此,在反向地安裝了磁傳感器300的情況下,其動作應(yīng)該也不會產(chǎn)生大的問題。
然而,本實用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)當(dāng)反向地安裝磁傳感器300而使電流反向流過時漏電流變大(第一課題)。另外,發(fā)現(xiàn)配置于島315上的小片越薄該漏電流越大(第二課題)。
因此,本實用新型是鑒于如上述那樣本實用新型的發(fā)明者所發(fā)現(xiàn)的第一、第二課題而作出的,其目的在于提供一種在電流反向流過薄型化的磁傳感器的情況下也能夠防止漏電流的增大的磁傳感器。
用于解決問題的方案
本實用新型的發(fā)明人對產(chǎn)生上述第一、第二課題的原因(機理)如下地進行了考察。
圖9的(a)以及(b)是表示本實用新型的發(fā)明人所考察的漏電流增大的機理的概念圖。在圖9的(a)以及(b)所示的磁傳感器300中,小片320經(jīng)由銀(Ag)膏340安裝在引線框310的島315上。另外,引線框310具有與島315成為一體的引線端子(即島端子)311、以及與島315分離的電源端子313。如圖9的(a)所示,在將磁傳感器300正確地安裝在布線基板或者插座等的情況下,島端子311成為接地端子。另外,小片320與Ag膏340的接合面成為半導(dǎo)體(例如,GaAs)與金屬(Ag)的肖特基結(jié)。
在圖9的(a)所示的情況下,向該肖特基結(jié)施加反偏置,因此電流不從小片320流過島315。電流從電源端子313通過金屬細線351、小片320的活性層321、金屬細線352流到島端子311。
另一方面,如圖9的(b)所示在將磁傳感器300反向地安裝的情況下,島端子311成為電源端子,電源端子313成為接地端子。在這種情況下,在小片320與Ag膏340的肖特基結(jié)中施加順向偏置。
在此,構(gòu)成小片320的半導(dǎo)體(例如,GaAs)是半絕緣性(≈超高電阻),因此當(dāng)小片320厚時即使向肖特基結(jié)施加順向偏置也幾乎不流過電流。然而,當(dāng)使小片320變薄時,電阻值與其厚度的減少量成比例地減少。因此,伴隨著小片320的薄型化,容易向肖特基結(jié)的順向流過電流。即容易漏電流以島端子311→島315→Ag膏340→小片320→金屬細線351→電源端子313這樣的路徑流過。
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