[實用新型]一種高顯色性白光LED結構

有效

• 申請號: 201320659828.9
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN203607398U
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 葉國光;郝銳;羅長得
• 申請（專利權）人: 廣東德力光電有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高顯色性白光LED結構，包括通過膠粘合的藍光LED芯片和紅光LED芯片，其特征在于：所述藍光芯片包括襯底、在襯底上依次生長的緩沖層、DBR層、n型半導體材料層、發光層、電子阻擋層、p型半導體材料層和透明電極層，藍光芯片中的透明電極層上涂覆有黃色熒光粉；所述紅光芯片包括襯底、在襯底上依次生長的n型半導體材料層、發光層、p型半導體材料層和透明電極層，透明電極層上設有反射層。

2.根據權利要求1所述的高顯色性白光LED結構，其特征在于：所述藍光芯片中的透明電極層上涂覆有硅膠和釔鋁石榴石的混合體。

3.根據權利要求1所述的高顯色性白光LED結構，其特征在于：所述藍光芯片包括有藍寶石襯底、GaN緩沖層、DBR層、n型GaN層、由InGaN和GaN材料層組成的發光層、AlGaN電子阻擋層、p型GaN層和ITO透明電極層。

4.根據權利要求1所述的高顯色性白光LED結構，其特征在于：所述紅光芯片包括有GaP襯底、n型AlInGaN、發光波長為600-650nm的Al_xIn_yGa_zP發光層，p型AlInGaN層、ITO透明導電層和反射層，其中Al_xIn_yGa_zP發光層中，?x和y的摩爾分數均為0-0.25，x?=y，z=1-x-y。

5.根據權利要求1所述的高顯色性白光LED結構，其特征在于：所述紅光芯片的尺寸等于藍光芯片的尺寸。

6.根據權利要求1或3所述的高顯色性白光LED結構，其特征在于：所述DBR層由2-15個周期材料層組成，每一周期材料層由AlGaN、InGaN和GaN中的兩種材料層組成，每一種材料層的厚度為藍光波長的1/4、1/8或1/16除以材料的折射率。

7.根據權利要求1所述的高顯色性白光LED結構，其特征在于：所述膠的材料為有機硅膠、銀漿、導熱膠、合金焊中的一種或多種，膠的厚度為100nm-100um。