[實(shí)用新型]離子注入機(jī)的新型掩膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320658626.2 | 申請(qǐng)日： | 2013-10-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203536373U | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙建東;鄭飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中電電氣（揚(yáng)州）光伏有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/266 | 分類號(hào)： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 揚(yáng)州蘇中專利事務(wù)所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孫忠明 |
| 地址： | 211400 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 離子 注入 新型 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種離子注入機(jī)的新型掩膜，其特征是，所述掩膜為中間鏤空的正方形石墨框。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入機(jī)的新型掩膜，其特征是，所述石墨框中鏤空的圖形為正方形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入機(jī)的新型掩膜，其特征是，所述掩膜內(nèi)邊長(zhǎng)為154.5+/-1.5mm，外邊長(zhǎng)大于157mm。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
