[實(shí)用新型]一種自適應(yīng)磁場調(diào)整型磁控濺射鍍膜設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320657463.6
• 申請日: 2013-10-23
• 公開（公告）號: CN203602705U
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬棟梁;崔德國
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州矩陣光電有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54;C23C14/56
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種自適應(yīng)磁場調(diào)整型磁控濺射鍍膜設(shè)備，包括腔室，平行且依次設(shè)置在腔室內(nèi)的基片、靶材和磁軛，以及靠近靶材且直接設(shè)置在磁軛上的若干永磁鐵，相鄰永磁鐵的磁極方向相反，永磁鐵的磁極方向垂直于靶材；其特征在于，

相鄰所述永磁鐵之間還設(shè)置有通電線圈，以及固定設(shè)置在所述通電線圈和所述磁軛之間的霍爾傳感器，所述通電線圈的長度方向與所述永磁鐵磁極方向垂直；

所述霍爾傳感器外接磁場強(qiáng)度偵測系統(tǒng)，用于磁場強(qiáng)度的實(shí)時(shí)監(jiān)測；

所述通電線圈外接電路控制模塊，所述電路控制模塊與所述磁場強(qiáng)度偵測系統(tǒng)電連接，根據(jù)所述磁場強(qiáng)度偵測系統(tǒng)的數(shù)據(jù)調(diào)整流經(jīng)通電線圈的電流，以改變磁場分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)磁場調(diào)整型磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述通電線圈靠近所述靶材設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)磁場調(diào)整型磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述磁場強(qiáng)度偵測系統(tǒng)包括磁場強(qiáng)度偵測模塊和數(shù)據(jù)處理模塊，所述數(shù)據(jù)處理模塊將處理得到數(shù)據(jù)傳輸至所述電路控制模塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的自適應(yīng)磁場調(diào)整型磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述霍爾傳感器為薄片式霍爾傳感器；所述薄片式霍爾傳感器所在平面垂直于所述靶材所在平面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自適應(yīng)磁場調(diào)整型磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述通電線圈在相鄰所述永磁鐵之間居中設(shè)置；所述霍爾傳感器相對于所述通電線圈居中設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的自適應(yīng)磁場調(diào)整型磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述霍爾傳感器與所述磁場強(qiáng)度偵測系統(tǒng)之間還電連接設(shè)置有信號放大器。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的自適應(yīng)磁場調(diào)整型磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述永磁鐵在所述磁軛上等距設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的自適應(yīng)磁場調(diào)整型磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述基片、所述靶材和所述磁軛的中心位于同一軸線上。