[實用新型]差分電容式傳感器檢測電路有效
| 申請號: | 201320654645.8 | 申請日: | 2013-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN203519728U | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | 黃友華 | 申請(專利權)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R27/26 | 分類號: | G01R27/26 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容 傳感器 檢測 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及集成電路,更具體的說是涉及一種差分電容式傳感器檢測電路。
背景技術
差分電容式傳感器檢測電路有多種電路方式來實現。由于差分電容式傳感器所產生的信號極其微弱,一般都在PF量級,其電容變化量一般在10-15-10-18F,要檢測如此微小的電容變化量,對檢測電路中各部分電路的選取尤為重要。目前采用如圖2所示的電路原理來構建電路,其最小差分量級可達到10-16F。但是,其電路結構復雜,使得集成后電路板體積較大,對封裝有一定的限制。
實用新型內容
本實用新型提供一種差分電容式傳感器檢測電,其精度高,電路結構簡單,便于封裝。
為解決上述的技術問題,本實用新型采用以下技術方案:
差分電容式傳感器檢測電路,它包括場效應管MOS1、場效應管MOS2、場效應管MOS3、場效應管MOS4、時鐘控制電路、電阻R1、電阻R2、電容C1、電容C2、放大器和D/A轉換器,所述的場效應管MOS2和場效應管MOS4的柵極均連接在時鐘控制電路上,所述的場效應管MOS2的漏極和場效應管MOS4的漏極分別與場效應管MOS1的源極和場效應管MOS3的源極相連;所述的場效應管MOS1的漏極和場效應管MOS3的漏極均連接在電源上;所述的電容C1的一端接地,另一端同時連接在場效應管MOS2的源極和放大器的一個輸入端上;所述的電容C2的一端接地,另一端同時連接在場效應管MOS4的源極和放大器的另一個輸入端上;所述的電阻R1并聯在電容C1上,所述的電阻R2和電容C2并聯;所述的放大器的輸出端和D/A轉換器的輸入端相連。
更進一步的技術方案是:
所述的場效應管MOS1、場效應管MOS2、場效應管MOS3和場效應管MOS4均為P型場效應管。
所述的電阻R1的阻值與電阻R2的阻值相等。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
本實用新型采用場效應管作為支路通斷的開關,利用時鐘控制線路對場效應管的通斷做控制,通過測量兩個電容的變化量來檢測計算加速度,其精度高,且電路結構簡單,可有效的減少電路板的封裝體積。
附圖說明
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明。
圖1為本實用新型的電路圖。
圖2為現有差分電容式傳感器檢測電路的原理框圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型作進一步的說明。本實用新型的實施方式包括但不限于下列實施例。
[實施例]
如圖1所示的差分電容式傳感器檢測電路,它包括場效應管MOS1、場效應管MOS2、場效應管MOS3、場效應管MOS4、時鐘控制電路、電阻R1、電阻R2、電容C1、電容C2、放大器和D/A轉換器,所述的場效應管MOS2和場效應管MOS4的柵極均連接在時鐘控制電路上,所述的場效應管MOS2的漏極和場效應管MOS4的漏極分別與場效應管MOS1的源極和場效應管MOS3的源極相連;所述的場效應管MOS1的漏極和場效應管MOS3的漏極均連接在電源上;所述的電容C1的一端接地,另一端同時連接在場效應管MOS2的源極和放大器的一個輸入端上;所述的電容C2的一端接地,另一端同時連接在場效應管MOS4的源極和放大器的另一個輸入端上;所述的電阻R1并聯在電容C1上,所述的電阻R2和電容C2并聯;所述的放大器的輸出端和D/A轉換器的輸入端相連。
所述的場效應管MOS1、場效應管MOS2、場效應管MOS3和場效應管MOS4均為P型場效應管。
所述的電阻R1的阻值與電阻R2的阻值相等。
在本實用新型中,場效應管MOS1和場效應管MOS3柵極為偏置電壓,可由外部產生。由時鐘控制電路來控制場效應管MOS2和場效應管MOS4的交替開關,實現對兩個電容的交錯充放電采用。對電容進行時間相同的充電,電容大小與充電后的電壓高低相關,放大器檢測兩個電容的電壓差值,放大后進行數模轉換輸出數字信號,便于后續設備計算加速度。電阻R1、電阻R2分別為電容C1、電容C2所處支路提供通路。
采用該電路,其包含4個場效應管、兩個電容、兩個電阻、放大器、時鐘控制電路和DA轉換器,其電路結構簡單,集成后電路板的體積小于采用圖2所示電路原理集成的電路板的體積。
采用本實用新型,其精度高,由測量可得:其最小差分量級可達到10-17F。
如上所述即為本實用新型的實施例。本實用新型不局限于上述實施方式,任何人應該得知在本實用新型的啟示下做出的結構變化,凡是與本實用新型具有相同或相近的技術方案,均落入本實用新型的保護范圍之內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于成都市宏山科技有限公司,未經成都市宏山科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320654645.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





