[實用新型]單層式陶瓷電容器及其介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320649722.0 | 申請日： | 2013-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN203690113U | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 紀彥玨;邱垂成;莊天云 | 申請（專利權(quán)）人： | 炳軒科技股份有限公司;增智電子股份有限公司;成功工業(yè)（惠州）有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京泛誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11298 | 代理人： | 陳波;吳立 |
| 地址： | 中國臺灣桃園*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單層式 陶瓷 電容器 及其 介質(zhì) 基材 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：?
基材主體，該基材主體具有上表面、相對于該上表面的下表面以及連接該上表面和該下表面的側(cè)表面，其中?
所述基材主體具有長軸和短軸，且該長軸與該短軸的比值大于1；?
第一凹槽，該第一凹槽形成于所述上表面上；以及?
第二凹槽，該第二凹槽形成于所述下表面上。?
2.如權(quán)利要求1所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)表面包括位于所述短軸方向上且相對設(shè)置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面，并且所述第一凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述上表面分隔為分離的兩個次上表面。?
3.如權(quán)利要求2所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述下表面分隔為分離的兩個次下表面。?
4.如權(quán)利要求2所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹槽沿著所述短軸方向延伸，并且所述第二凹槽的開口延伸到所述第二短側(cè)表面以形成第二開槽，并且該第二開槽的底部與所述下表面形成段差。?
5.如權(quán)利要求1所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)表面包括位于所述短軸方向上且相對設(shè)置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面，且所述第一凹槽的開口延伸到所述第一短側(cè)表面以形成第一開槽，并且所述第一開槽的底部與所述上表面形成段差。?
6.如權(quán)利要求5所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二凹槽的開口延伸到所述第二短側(cè)表面以形成第二開?槽，并且該第二開槽的底部與該下表面形成段差。?
7.如權(quán)利要求1所述的單層式陶瓷電容器的介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第一電極層，該第一電極層設(shè)置于所述上表面的一部分和所述側(cè)表面的一部分上；以及第二電極層，該第二電極層設(shè)置于所述下表面的一部分和所述側(cè)表面的一部分上。?
8.一種單層式陶瓷電容器，其特征在于，包括：?
介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)，該介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)包括：基材主體，該基材主體具有上表面、相對于該上表面的下表面以及連接該上表面和該下表面的側(cè)表面，其中?
該基材主體具有長軸與短軸，且該長軸與該短軸的比值大于1；?
第一凹槽，該第一凹槽形成于所述上表面上；?
第二凹槽，該第二凹槽形成于所述下表面上；以及?
所述側(cè)表面包括位于所述短軸方向上且相對設(shè)置的第一短側(cè)表面和第二短側(cè)表面；?
第一電極層，該第一電極層設(shè)置于所述上表面以及與所述上表面連接的所述第二短側(cè)表面上；?
第二電極層，該第二電極層設(shè)置于所述下表面以及與所述下表面連接的所述第一短側(cè)表面上；?
兩個端子，該兩個端子分別設(shè)置于所述第一短側(cè)表面和所述第二短側(cè)表面，并且分別與所述第一電極層和所述第二電極層電性連接；以及?
密封膠體，該密封膠體包封所述介質(zhì)基材結(jié)構(gòu)、所述第一電極層和所述第二電極層，并且使所述兩個端子暴露于所述密封膠體的外部。?
9.如權(quán)利要求8所述的單層式陶瓷電容器，其特征在于，所述第一凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述上表面分隔為分離的兩個次上表面；以及所述第二凹槽沿著所述短軸方向延伸，并將所述下表面分隔為分離的兩個次下表面。?
10.如權(quán)利要求8所述的單層式陶瓷電容器，其特征在于，所述第一凹槽的開口延伸到所述第一短側(cè)表面以形成第一開槽，且該第一開槽的底部與所述上表面形成段差；以及所述第二凹槽的開口延伸到所述第二短側(cè)表面以形成第二開槽，且該第二開槽的底部與所述下表面形成段差。?
11.如權(quán)利要求8所述的單層式陶瓷電容器，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的其中一個沿著所述短軸方向延伸，并將所述上表面或所述下表面分隔為分離的兩個次表面；以及所述第一凹槽和所述第二凹槽的其中另一個沿著所述短軸方向延伸，且所述第一凹槽或所述第二凹槽的開口延伸到所述第一短側(cè)表面或所述第二短側(cè)表面以形成第一開槽或第二開槽，且該第一開槽的底部與所述上表面形成段差或者該第二開槽的底部與所述下表面形成段差。?
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