[實(shí)用新型]包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320644572.4
• 申請(qǐng)日: 2013-07-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203659864U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·C·H·姚;G·J·斯歌特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L29/36;H01L29/06
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 郭思宇

1.—種包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其特征在于包括：?

具有第一電極和第二電極的電容器，其中控制柵端子被耦合到第一電極；?

具有第一電極和第二電極的隧道結(jié)構(gòu)，其中擦除端子被耦合到第一電極；?

第二電極的至少—部分具有第—傳導(dǎo)性類型，并且該隧道結(jié)構(gòu)包括：?

與第一電極相鄰的中度摻雜區(qū)，其中該中度摻雜區(qū)具有與第—傳導(dǎo)性類型相反的第二傳導(dǎo)性類型，?

具有第二傳導(dǎo)性類型和高于中度摻雜區(qū)的摻雜物濃度的摻雜物濃度的第一重度摻雜區(qū)；和?

具有第—傳導(dǎo)性類型和高于中度摻雜區(qū)的摻雜物濃度的摻雜物濃度的第二重度摻雜區(qū)，?

其中從頂部觀察，該第一重度摻雜區(qū)部署在中度摻雜區(qū)和第二重度摻雜區(qū)之間；?

狀態(tài)晶體管，包括源極區(qū)、漏極區(qū)和柵電極，其中用于非易失性存儲(chǔ)器單元的浮動(dòng)?xùn)烹姌O包括柵電極、電容器的第二電極以及隧道結(jié)構(gòu)的第二電極；以及?

訪問(wèn)晶體管，包括源極區(qū)、漏極區(qū)和柵電極，其中該訪問(wèn)晶體管的源極區(qū)被耦合到狀態(tài)晶體管的漏極區(qū)。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其中第一重度摻雜區(qū)和第二重度摻雜區(qū)彼此電連接。?

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其中該隧道結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括將第一重度摻雜區(qū)和第二重度摻雜區(qū)彼此電連接的含金屬部件。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其中電容器的第二電極、隧道結(jié)構(gòu)的第二電極、狀態(tài)晶體管的柵電極和訪問(wèn)晶體管的柵電極由包括多晶硅或非結(jié)晶質(zhì)硅的相同層形成。?

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，進(jìn)一步包括部署在浮動(dòng)?xùn)烹姌O上方并且實(shí)質(zhì)上與浮動(dòng)?xùn)烹姌O相連的含金?屬部件。?

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其中該電容器包括p溝道晶體管結(jié)構(gòu)，該狀態(tài)晶體管為第一n溝道晶體管，并且該訪問(wèn)晶體管為第二n溝道晶體管。?

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其中該隧道結(jié)構(gòu)的基本上所有第二電極都被n型摻雜。?

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其中該隧道結(jié)構(gòu)的第一電極包括n阱區(qū)，以及部署在該n阱區(qū)內(nèi)并且與該隧道結(jié)構(gòu)的第二電極相鄰的p型區(qū)。?

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其中該隧道結(jié)構(gòu)的第一電極包括不包含p型區(qū)的n阱區(qū)。?

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，其中：?

電容器的第一電極包括第一n阱區(qū)；?

隧道結(jié)構(gòu)的第一電極包括第二n阱區(qū)；?

狀態(tài)晶體管和訪問(wèn)晶體管的源極和漏極區(qū)被部署在第一p型區(qū)內(nèi)；?

場(chǎng)隔離區(qū)的各部分被部署在第一n阱區(qū)、第二n阱區(qū)和第一p型區(qū)之間；并且?

第一n阱區(qū)、第二n阱區(qū)和第一p型區(qū)彼此電隔離。?

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，進(jìn)一步包括部署在場(chǎng)隔離區(qū)的特定部分之下的第二p型摻雜區(qū)，其中：?

襯底包括半導(dǎo)體材料以及處于一個(gè)摻雜物濃度的摻雜物；?

第二p型區(qū)具有大于半導(dǎo)體材料的摻雜物濃度的摻雜物濃度；并且?

場(chǎng)隔離區(qū)的特定部分與第一n阱區(qū)和第二n阱區(qū)毗鄰。?

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的包括具有隧道結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器單元的電子設(shè)備，進(jìn)一步包括部署在第一p型區(qū)內(nèi)的p型主體接觸區(qū)，其中該場(chǎng)隔離區(qū)的另—特定部分部署在該p型主體接觸區(qū)與狀態(tài)晶體管和訪問(wèn)晶體管之間。?