[實用新型]一種具有新型細柵線結構的晶體硅太陽電池

有效

• 申請號: 201320643307.4
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN203481248U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 許佳平;陳康平;金浩;蔣方丹
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/042
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

技術領域

本實用新型涉及一種晶體硅太陽電池，具體涉及一種具有新型細柵線結構的晶體硅太陽電池。

背景技術

晶體硅太陽電池技術經過十幾年的發展，已經形成一套成熟的規模化制備工藝技術，其中關鍵的一個環節是絲網印刷工序。在絲網印刷階段，分別印刷背電極、背電場和正面電極，并經過高溫燒結形成具有良好接觸電阻和電阻率的金屬電極。晶體硅太陽電池的正面電極包括兩根或者三根主柵線，以及數十根寬度、高度均勻的細柵線（如圖1所示），細柵線收集晶體硅太陽電池產生的光生電流后匯聚到主柵線上。隨著絲網印刷的網版和漿料的持續改進，細柵線的寬度已經由最初的140um左右降低到45um左右，高度由原來的25um左右降低到13um左右。細柵線寬度和高度的降低一方面減小了正面電極的遮光面積，提升了太陽電池的短路電流，另一方面降低了漿料的耗量。但由于絲網印刷的網版由細不銹鋼線編織而成，在不銹鋼線交疊的位置處，現階段寬度和高度均勻的細柵線容易出現寬度和高度減小的“束腰”形狀，甚至形成類似柵線斷續的情況，增大了晶體硅太陽電池的串聯電阻。盡管采用兩層印刷技術印刷兩次細柵線，將兩層細柵線疊加起來增加柵線高度，可以修復細柵的“束腰”、“斷續”，降低晶體硅太陽電池的串聯電阻，但這無疑會在一定程度上增加漿料的耗量。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種具有新型細柵線結構的晶體硅太陽電池，能保持或少量增加漿料的耗量，新型細柵線結構有助于降低串聯電阻。

本實用新型解決技術問題所采用的技術方案是：一種具有新型細柵線結構的晶體硅太陽電池，包括SiN層、N型層和P型基底，所述SiN層上設有主柵線和細柵線，將所述細柵線設置為三個區，分別為細柵線主柵附近區、細柵線中間區和細柵線未端區。

作為一種優選，所述細柵線主柵附近區、細柵線中間區和細柵線未端區的長度比為1∶2∶1，所述細柵線中間區的高度高于細柵線未端區4～10um；所述細柵線主柵附近區的寬度寬于細柵線中間區3～8um。

本實用新型細柵線寬度的逐次增加可通過絲網印刷網版的圖形設計實現，高度的逐次增加可通過兩層印刷技術實現。與上文提到的兩層印刷技術不同，本實用新型所需印刷的第二層細柵線只部分疊加第一層細柵線。

本實用新型的有益效果是:?細柵線末端區域收集的電流小，保留低寬度、低高度的結構對串聯電阻的影響較小。到了細柵線的中間區域，細柵線上收集的電流逐漸增加，此時細柵線的“束腰”不利影響開始凸現，本實用新型的新細柵結構在此中間區增加了細柵的高度，同時在一定程度上修復細柵線的“束腰”形狀，從而降低晶體硅太陽電池的串聯電阻。在主柵附近區，細柵線收集的電流達到最大，此區域略微增加細柵線的寬度有助于降低串聯電阻。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例局部結構示意圖。

下面結合附圖對本實用新型做進一步說明。

具體實施方式

實施例1：如附圖1所示，一種具有新型細柵線結構的晶體硅太陽電池，它是兩主柵156mm×156mm晶體硅太陽電池，包括SiN層1、N型層2和P型基底3，SiN層1上設有兩個主柵線4和細柵線，將細柵線設置為三個區，分別為細柵線主柵附近區5、細柵線中間區6和細柵線未端區7。其中細柵線主柵附近區5的長度為9.5625mm，寬度為40um，高度為18um；細柵線中間區6的長度為19.125mm，寬度為35um，高度為18um；細柵線未端區7的長度為9.5625mm，寬度為35um，高度為13um。

實施例2：另一種具有新型細柵線結構的晶體硅太陽電池，它是三主柵156mm×156mm晶體硅太陽電池，包括SiN層、N型層和P型基底，?SiN層上設有三個主柵線和細柵線，將細柵線設置為三個區，分別為細柵線主柵附近區、細柵線中間區和細柵線未端區。其中細柵線主柵附近區的長度為6.375mm，寬度為37um，高度為15um；細柵線中間區的長度為12.75mm，寬度為32um，高度為15um；細柵線未端區的長度為6.375mm，寬度為32um，高度為11um。