[實用新型]一種基于BIPV應用的薄膜電池透光背電極有效
| 申請號： | 201320634794.8 | 申請日： | 2013-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN203521436U | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發明（設計）人： | 邵傳兵;劉小雨;田子;李士剛;劉勝博;王旗 | 申請（專利權）人： | 山東禹城漢能光伏有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/055 |
| 代理公司： | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 251200 山東省德州*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 bipv 應用 薄膜 電池 透光 電極 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于BIPV應用的薄膜電池透光背電極，其特征在于：自上而下依次包括AZO層Ⅰ（1）、金屬層（2）以及AZO層Ⅱ（3），所述AZO層Ⅰ（1）的厚度為90nm，所述金屬層（2）的厚度為22nm，所述AZO層Ⅱ（3）的厚度為60nm。
2.根據權利要求1所述的基于BIPV應用的薄膜電池透光背電極，其特征在于：所述金屬層（2）為金屬鋁層或者金屬銀層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
