[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320634544.4
• 申請(qǐng)日: 2013-10-15
• 公開（公告）號(hào): CN203521421U
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·瓦韋羅;P·莫恩斯;Z·侯賽因
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包括：

第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板；

覆蓋于所述半導(dǎo)體基板上的所述第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)電層；以及

包括一個(gè)或更多個(gè)第一超結(jié)凹槽的邊緣終端結(jié)構(gòu)，其中所述第一超結(jié)凹槽的每個(gè)包括：

具有第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)電區(qū)；

與所述第一半導(dǎo)電區(qū)相鄰的第二半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第二半導(dǎo)電區(qū)具有與所述第二導(dǎo)電類型不同的第三導(dǎo)電類型；

與所述第二區(qū)相鄰的第一緩沖區(qū)；

與所述第一緩沖區(qū)相鄰的第三半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第三半導(dǎo)電區(qū)具有所述第三導(dǎo)電類型；

與所述第三區(qū)相鄰的第四半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第四區(qū)具有所述第二導(dǎo)電類型；以及

將所述第二區(qū)電耦接至所述第三區(qū)的第一導(dǎo)電區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述第一導(dǎo)電類型是n型導(dǎo)電性并且所述第二導(dǎo)電類型是n型導(dǎo)電性。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述第三導(dǎo)電類型是p型導(dǎo)電性。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

所述第二半導(dǎo)電區(qū)包括第一p阱區(qū)，其中所述第一半導(dǎo)電區(qū)至少部分布置于所述第一p阱區(qū)與所述第一緩沖區(qū)之間；并且

所述第三半導(dǎo)電區(qū)包括第二p阱區(qū)，其中所述第四半導(dǎo)電區(qū)至少部分布置于所述第二p阱區(qū)與所述第一緩沖區(qū)之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述第一導(dǎo)電區(qū)將所述第一p阱區(qū)與所述第二p阱區(qū)電耦接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述邊緣終端結(jié)構(gòu)還包括一個(gè)或更多個(gè)第二超結(jié)凹槽，其中所述第二超結(jié)凹槽的每個(gè)包括：

具有第四導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)電區(qū)；

與所述第五半導(dǎo)電區(qū)相鄰的第六半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第六半導(dǎo)電區(qū)具有與所述第四導(dǎo)電類型不同的第五導(dǎo)電類型；

與所述第六區(qū)相鄰的第二緩沖區(qū)；

與所述第一緩沖區(qū)相鄰的第七半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第七半導(dǎo)電區(qū)具有所述第五導(dǎo)電類型；以及

與所述第七區(qū)相鄰的第八半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第八區(qū)具有所述第四導(dǎo)電類型，

其中所述第六區(qū)與所述第七區(qū)電絕緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一超結(jié)凹槽被布置于所述半導(dǎo)體器件的所述第二超結(jié)凹槽與有源區(qū)之間。

8.一種半導(dǎo)電器件，其特征在于包括：

第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板；

覆蓋于所述半導(dǎo)體基板上的所述第一導(dǎo)電類型的第一層；

有源區(qū)；以及

包圍所述有源區(qū)的一個(gè)或更多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)，所述環(huán)結(jié)構(gòu)的每個(gè)包括：

各自包括第一超結(jié)凹槽的兩個(gè)或更多個(gè)第一區(qū)段，其中所述第一超結(jié)凹槽包括：

具有第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)電區(qū)；

與所述第一半導(dǎo)電區(qū)相鄰的第二半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第二半導(dǎo)電區(qū)具有與所述第二導(dǎo)電類型不同的第三導(dǎo)電類型；

與所述第二區(qū)相鄰的第一緩沖區(qū)；

與所述第一緩沖區(qū)相鄰的第三半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第三半導(dǎo)電區(qū)具有所述第三導(dǎo)電類型；以及

與所述第三區(qū)相鄰的第四半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第四區(qū)具有所述第二導(dǎo)電類型；

各自包括具有所述第一導(dǎo)電類型的第五半導(dǎo)電區(qū)的兩個(gè)或更多個(gè)第二區(qū)段，

其中所述第一區(qū)段和所述第二區(qū)段被交替地布置以形成所述環(huán)結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)電器件，其特征在于所述第二區(qū)段的每個(gè)還包括具有所述第三導(dǎo)電類型的第六區(qū)，其中所述第六區(qū)電連接至一個(gè)或更多個(gè)所述超結(jié)凹槽的所述第二半導(dǎo)電區(qū)和所述第三半導(dǎo)電區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)電器件，其特征在于還包括一個(gè)或更多個(gè)連續(xù)的環(huán)結(jié)構(gòu)，所述一個(gè)或更多個(gè)連續(xù)的環(huán)結(jié)構(gòu)各自包括第二超結(jié)凹槽，其中所述第二超結(jié)凹槽包括：

具有第四導(dǎo)電類型的第六半導(dǎo)電區(qū)；

與所述第六半導(dǎo)電區(qū)相鄰的第七半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第七半導(dǎo)電區(qū)具有與所述第四導(dǎo)電類型不同的第五導(dǎo)電類型；

與所述第七區(qū)相鄰的第二緩沖區(qū)；

與所述第二緩沖區(qū)相鄰的第八半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第八半導(dǎo)電區(qū)具有所述第五導(dǎo)電類型；以及

與所述第八區(qū)相鄰的第九半導(dǎo)電區(qū)，其中所述第九區(qū)具有所述第四導(dǎo)電類型，

其中所述第七區(qū)與所述第八區(qū)電絕緣。