[實用新型]減少晶體管溫升的電路排布結構

有效

• 申請號: 201320633015.2
• 申請日: 2013-10-14
• 公開（公告）號: CN203521395U
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 王宏;李震;謝剛
• 申請（專利權）人: 四川長虹欣銳科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H05K1/18
• 代理公司: 成都虹橋專利事務所(普通合伙) 51124
• 代理人: 濮云杉

技術領域

本實用新型涉及電路板上的元件排布結構，具體的講是減少晶體管溫升的電路排布結構。

背景技術

隨著能源危機的到來，高效的照明技術得到人們廣泛的關注。發光二極管LED（Light?Emitting?Ddiode）是利用半導體的PN結或類似結構把電能轉換成光能的器件，以其高效率、低功耗、低電壓驅動、使用壽命長等優點，已在眾多應用領域中得到普遍的應用，如手機、PDA、液晶電視的背光光源等各類電子產品。對于液晶電視來說，液晶顯示裝置包括背光模塊和液晶面板，背光模塊用于為本身不發光的液晶面板提供光源。無論背光模塊或液晶面板，都需要電源為其供電。現有的大部分電源LED部分采用控制芯片驅動升壓MOSFET（金氧半場效晶體管）實現逆變，其中大部分控制IC（集成電路）輸出的驅動升壓MOSFET的電平為邏輯電平，其輸出高電平僅為5V。因此，此邏輯電平會在很大程度上限制升壓MOSFET的選擇。如若在考慮不增加電源成本的基礎上（若提高芯片的驅動能力則會增加成本），僅用5V電壓來驅動升壓MOSFET，則可選擇的MOSFET的封裝基本為貼封。現有的電源制造工藝中，電源的貼片元件基本為機貼點膠固定后進行波峰焊。對于貼片式MOSFET來說，若點膠固定時點膠面積過大，則會造成電源過波峰焊時，MOSFET無法與印制板充分接觸，從而影響MOSFET的散熱效果。在這種情況下，為使MOSFET工作時的溫升標準達到要求，則所使用的MOSFET就需要求其熱阻較低、結電容較大，這樣一來MOSFET的可選擇性就會大大降低。

實用新型內容

本實用新型提供了一種減少晶體管溫升的電路排布結構，可以減少貼片MOSFET溫升，以增強貼封式MOSFET散熱效果和提高其可靠性。

本實用新型減少晶體管溫升的電路排布結構，包括電源，在電源的背面固定設有貼封式的晶體管（MOSFET）和外圍貼片元件，在電源的正面設有用于散熱的跨針。

進一步的，所述的跨針與設于電源背面的晶體管相對設置。由于跨針的作用是為MOSFET散熱，因此將跨針與MOSFET相對設置能夠達到更好的散熱作用。

優選的，在距晶體管貼封邊緣7mm的范圍內設置的外圍貼片元件≤10個，在對電源電路進行排布時，盡量減少在貼封式MOSFET周邊其它元器件，以減少元件對MOSFET散熱的影響。外圍貼片元件的數量可以根據實際情況進行相應的設定。

進一步的，在晶體管的周圍還設有露銅面積，所述露銅面積的邊緣與晶體管的漏極之間的最小距離為2mm。增大露銅面積也可以進一步為MOSFET散熱，露銅面積與晶體管的漏極之間的最小距離優選是2mm，也可以根據實際情況進行其它設置。

本實用新型的減少晶體管溫升的電路排布結構，在不增加電源成本的基礎上增加了貼封式MOSFET的可選擇性，還通過各種散熱方式有效避免了MOSFET工作時的高溫對周邊元器件造成影響，提高了MOSFET本身以及周邊元器件的工作穩定性和可靠性。

以下結合實施例的具體實施方式，對本實用新型的上述內容再作進一步的詳細說明。但不應將此理解為本實用新型上述主題的范圍僅限于以下的實例。在不脫離本實用新型上述技術思想情況下，根據本領域普通技術知識和慣用手段做出的各種替換或變更，均應包括在本實用新型的范圍內。

附圖說明

圖1為本實用新型減少晶體管溫升的電路排布結構的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示本實用新型減少晶體管溫升的電路排布結構，包括電源5，在電源5的背面固定設有貼封式的晶體管1（MOSFET）和外圍貼片元件2，在電源5的正面設有4排用于散熱的跨針3，共有8個焊腳，并且所述的跨針3與設于電源5背面的晶體管1相對設置，以能夠達到更好的散熱作用。在對電源電路進行排布時，距晶體管1貼封邊緣7mm的范圍內設置的外圍貼片元件2≤10個，盡量減少在貼封式晶體管1周邊其它元器件，以減少元件對晶體管1散熱的影響。另一方面，還在晶體管1的周圍增大設置露銅面積4，露銅面積4的邊緣與晶體管1的漏極之間的最小距離為2mm，以增強其散熱效果。