[實(shí)用新型]一種原位測(cè)量納米器件的透射電鏡樣品臺(tái)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320631538.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203644726U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳幸;孫立濤;余開(kāi)浩;吳旻駿;潘弘揚(yáng);邢雪;馬子哲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01J37/20 | 分類號(hào): | H01J37/20;G01N23/00 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 王華 |
| 地址: | 211189 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 原位 測(cè)量 納米 器件 透射 樣品 | ||
1.一種原位測(cè)量納米器件的透射電鏡樣品臺(tái),其特征在于:包括金屬納米探針、絕緣堵片和樣品支撐臺(tái),所述絕緣堵片的正反表面分別設(shè)有多個(gè)金屬電極,且對(duì)應(yīng)的金屬電極之間通過(guò)金屬化通孔實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電連接;所述樣品支撐臺(tái)一端與絕緣堵片連接,另一端設(shè)有取樣區(qū)和測(cè)試區(qū),所述測(cè)試區(qū)為設(shè)在樣品支撐臺(tái)表面并懸空的金屬電極,樣品支撐臺(tái)的金屬電極與絕緣堵片的金屬電極為導(dǎo)電連接;所述金屬納米探針、測(cè)試區(qū)金屬電極和被測(cè)樣品構(gòu)成三端場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述原位測(cè)量納米器件的透射電鏡樣品臺(tái),其特征在于:所述樣品支撐臺(tái)測(cè)試區(qū)的金屬電極為4個(gè),對(duì)應(yīng)的絕緣堵片正反面也分別設(shè)有4個(gè)金屬電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述原位測(cè)量納米器件的透射電鏡樣品臺(tái),其特征在于:所述樣品支撐臺(tái)表面設(shè)有4個(gè)電極引腳并分別與測(cè)試區(qū)金屬電極連接;同時(shí)所述絕緣堵片設(shè)有插槽,樣品支撐臺(tái)一端設(shè)在該插槽內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述原位測(cè)量納米器件的透射電鏡樣品臺(tái),其特征在于:所述樣品支撐臺(tái)材質(zhì)選用硅或氮化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述原位測(cè)量納米器件的透射電鏡樣品臺(tái),其特征在于:所述絕緣堵片的材質(zhì)采用藍(lán)寶石或氮化鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述原位測(cè)量納米器件的透射電鏡樣品臺(tái),其特征在于:所述樣品支撐臺(tái)上的金屬電極為通過(guò)磁控濺射方法沉積得到的金、鎳、鉑金屬薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述原位測(cè)量納米器件的透射電鏡樣品臺(tái),其特征在于:所述金屬電極的材質(zhì)采用鈦金合金。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述原位測(cè)量納米器件的透射電鏡樣品臺(tái),其特征在于:所述取樣區(qū)為柵格狀。
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