[實用新型]沉積裝置有效
| 申請號: | 201320630234.5 | 申請日: | 2013-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN203582967U | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 許明洙;鄭石源;李正浩;洪祥赫;李勇錫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/04 | 分類號: | C23C16/04;C23C16/44;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 于未茗;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積 裝置 | ||
1.一種用于通過使用與基板有關的掩膜執行沉積過程的沉積裝置,該沉積裝置包括:
室;
在所述室中的支撐單元,包括第一孔并且被配置為支撐所述基板;
供應單元,被配置為向所述基板供應至少一種沉積原材料;和
通過所述支撐單元的所述第一孔的能移動的對齊單元,所述對齊單元被配置為支撐所述掩膜,并且將所述掩膜與所述基板對齊。
2.如權利要求1所述的沉積裝置,進一步包括對齊確認構件,所述對齊確認構件被配置為通過所述支撐單元中的第二孔確認所述基板和所述掩膜的對齊狀態。
3.如權利要求2所述的沉積裝置,其中所述對齊確認構件被配置為檢查所述基板上的對齊標記與所述掩膜上的對齊標記的對齊,以便確認所述基板和所述掩膜的對齊狀態。
4.如權利要求2所述的沉積裝置,其中所述支撐單元中的所述第二孔比所述第一孔更靠近所述支撐單元的中心區域。
5.如權利要求2所述的沉積裝置,其中所述對齊確認構件比所述支撐單元更遠離所述供應單元。
6.如權利要求2所述的沉積裝置,其中所述支撐單元位于所述對齊確認構件與所述供應單元之間。
7.如權利要求2所述的沉積裝置,其中所述室包括與所述第二孔重疊的透明窗,所述對齊確認構件被配置為通過所述透明窗確認所述基板和所述掩膜的對齊狀態。
8.如權利要求1所述的沉積裝置,其中所述對齊單元的橫截面積小于所述第一孔的尺寸,所述對齊單元能在所述第一孔中三維移動。
9.如權利要求1所述的沉積裝置,其中所述對齊單元被配置為支撐所述掩膜的同時在所述第一孔內豎直和水平地移動。
10.如權利要求1所述的沉積裝置,其中所述支撐單元的上表面是彎曲的。
11.如權利要求10所述的沉積裝置,其中所述支撐單元的所述上表面的中心區域相對于所述支撐單元的所述上表面的端部區域向上凸出。
12.如權利要求11所述的沉積裝置,其中所述支撐單元的下表面根據所述支撐單元的所述上表面的曲度而彎曲。
13.如權利要求11所述的沉積裝置,其中所述支撐單元的下表面是平的。
14.如權利要求1所述的沉積裝置,進一步包括通過所述支撐單元中的第三孔的升降銷,所述升降銷被配置為支撐所述基板,并且在所述第三孔中豎直移動以便將所述基板布置在所述支撐單元上。
15.如權利要求14所述的沉積裝置,其中所述第三孔比所述第一孔更靠近所述支撐單元的中心區域。
16.如權利要求1所述的沉積裝置,進一步包括被配置為支撐所述供應單元的基底板,所述基底板被定位為比所述供應單元更遠離所述支撐單元。
17.如權利要求1所述的沉積裝置,進一步包括被配置為向所述供應單元和所述支撐單元之間施加電壓以便產生等離子體的電力單元。
18.如權利要求1所述的沉積裝置,進一步包括被配置為產生等離子體并且將所述等離子體添入所述室中以便清潔所述室的內部的清潔單元。
19.如權利要求1所述的沉積裝置,其中所述支撐單元能夠向上和向下豎直移動。
20.如權利要求1所述的沉積裝置,其中所述室包括至少一個出入口,所述基板或所述掩膜通過所述至少一個出入口被插入所述室中。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





