[實(shí)用新型]一種用于制作高頻聲表面波器件的復(fù)合薄膜基底有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320628973.0 | 申請日： | 2013-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN203537343U | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 熊禮威;崔曉慧;汪建華 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢工程大學(xué) |
| 主分類號： | H03H3/08 | 分類號： | H03H3/08;H03H9/25;C23C16/27 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 制作 高頻 表面波 器件 復(fù)合 薄膜 基底 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種用于制作高頻聲表面波器件的復(fù)合薄膜基底，其特征在于：包括單晶硅片、普通金剛石薄膜層和納米金剛石薄膜層三個部分，其中普通金剛石薄膜采用化學(xué)氣相沉積法沉積在單晶硅片表面，納米金剛石薄膜采用化學(xué)氣相沉積法直接沉積在普通金剛石薄膜表面，形成金剛石/納米金剛石復(fù)合薄膜。
2.一種高頻聲表面波器件，其特征在于：在權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜基底上制備ZnO等壓電薄膜，然后在其上設(shè)計(jì)叉指換能器，形成高頻聲表面波器件。
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