[實用新型]MOSFET驅(qū)動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320628498.7
• 申請日: 2013-10-11
• 公開（公告）號: CN203554270U
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李亞輝;季步成
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州匯川技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 陸軍

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及電力電子驅(qū)動領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種MOSFET驅(qū)動電路。?

背景技術(shù)

隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，功率MOSFET的應(yīng)用得到了長足的發(fā)展。MOSFET是一種電壓驅(qū)動型半導(dǎo)體器件，由于其驅(qū)動功率小，工作頻率高，熱穩(wěn)定性好，因此被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源、馬達驅(qū)動、照明調(diào)光等。?

傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動電路如圖1所示，具有圖騰柱輸出的三極管Q1、Q2通過隔直電容C1連接到脈沖變壓器T的原邊。變壓器T的副邊繞組通過柵極電阻R1連接到MOSFET的柵極，且該MOSFET的柵極與源極之間并聯(lián)有穩(wěn)壓管D1。控制信號通過三極管Q1、Q2，實現(xiàn)對MOSFET開通和關(guān)斷的控制。?

然而，目前的功率MOSFET的隔離驅(qū)動芯片的價格普遍較高，且在某些特定應(yīng)用場合受到一定的局限性。并且圖1所示的驅(qū)動電路，由于受MOSFET寄生參數(shù)的影響，在高速開關(guān)狀態(tài)時，柵極電荷不能快速的釋放，從而極大的限制了變換器工作頻率的提高，并且柵極的驅(qū)動信號也容易受到開關(guān)噪聲的干擾，存在驅(qū)動電壓震蕩或者MOSFET誤導(dǎo)通的可能。?

實用新型內(nèi)容

本實用新型要解決的技術(shù)問題在于，針對上述MOSFET驅(qū)動電路價格高、使用場合受限以及性能不穩(wěn)定的問題，提供一種帶隔離并可快速可靠關(guān)斷的MOSFET驅(qū)動電路。?

本實用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案是，提供一種MOSFET驅(qū)動電?路，包括驅(qū)動芯片、脈沖變壓器、兩個柵極電阻、兩個快恢復(fù)肖特基二極管、NPN型三極管及MOSFET管，其中：所述驅(qū)動芯片包括兩個輸出互補的脈沖信號的引腳，且該兩個引腳分別連接到脈沖變壓器的原邊的同名端和異名端；所述脈沖變壓器的副邊的同名端經(jīng)由兩個柵極電阻連接到MOSFET管的柵極；所述MOSFET管的源極經(jīng)由兩個快恢復(fù)肖特基二極管連接到脈沖變壓器的副邊的異名端，且該MOSFET管的柵極經(jīng)由其中一個柵極電阻連接到NPN型三極管的集電極、源極直接連接到NPN型三極管的發(fā)射極；所述NPN型三極管的基極接于兩個快恢復(fù)肖特基二極管的連接點。?

在本實用新型所述的MOSFET驅(qū)動電路中，所述MOSFET管的柵極和源極之間連接有穩(wěn)壓二極管。?

在本實用新型所述的MOSFET驅(qū)動電路中，所述MOSFET管的柵極和源極之間還連接有下拉電阻，所述下拉電阻與穩(wěn)壓二極管并聯(lián)連接。?

在本實用新型所述的MOSFET驅(qū)動電路中，所述MOSFET管的柵極經(jīng)由一個柵極電阻及一個下拉電阻連接到NPN型三極管的基極。?

在本實用新型所述的MOSFET驅(qū)動電路中，所述脈沖變壓器的原邊、副邊的匝數(shù)比為1：1。?

在本實用新型所述的MOSFET驅(qū)動電路中，所述驅(qū)動芯片的一個引腳經(jīng)由電容連接到脈沖變壓器的原邊。?

本實用新型的MOSFET驅(qū)動電路，通過驅(qū)動芯片、兩個快恢復(fù)肖特基二極管和一個NPN型三極管，可實現(xiàn)MOSFET管的快速關(guān)斷，且該驅(qū)動電路的抗干擾能力強、適合工作在高頻狀態(tài)。?

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動電路的示意圖。?

圖2是本實用新型MOSFET驅(qū)動電路實施例的示意圖。?

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖?及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。?

如圖2所示，是本實用新型MOSFET驅(qū)動電路實施例的示意圖。該MOSFET驅(qū)動電路包括驅(qū)動芯片，脈沖變壓器T，柵極電阻R1、R2，兩個快恢復(fù)肖特基二極管D1、D2（通過使用快恢復(fù)肖特基二極管，可在關(guān)斷時快速的將MOSFET管關(guān)斷），NPN型三極管Q1及MOSFET管，其中驅(qū)動芯片包括兩個輸出互補的脈沖信號的引腳OUTA、OUTB，且該兩個引腳OUTA、OUTB分別連接到脈沖變壓器T的原邊的同名端和異名端；脈沖變壓器T的副邊的同名端經(jīng)由兩個柵極電阻R1、R2連接到MOSFET管的柵極G；MOSFET管的源極S經(jīng)由兩個快恢復(fù)肖特基二極管D1、D2連接到脈沖變壓器T的副邊的異名端，且該MOSFET管的柵極G經(jīng)由一個柵極電阻R2連接到NPN型三極管Q1的集電極、源極S直接連接到NPN型三極管Q1的發(fā)射極；并且NPN型三極管Q1的基極接于兩個快恢復(fù)肖特基二極管D1、D2的連接點。?