[實用新型]用于集成電路中的器件有效
| 申請號： | 201320625002.0 | 申請日： | 2013-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN204088325U | 公開（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發明（設計）人： | N·勞貝特;P·卡雷;柳青 | 申請（專利權）人： | 意法半導體公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 集成電路 中的 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于集成電路中的器件，其特征在于，所述器件包括：?
嵌入的氧化物區域，具有在其之上的保形氮化物層；以及?
硅化合物的無分面的外延生長的區域，與所述嵌入的氧化物區域相鄰。?
2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述嵌入的氧化物區域是隔離溝槽并且保形氮化物層是氮化硅溝槽襯墊。?
3.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，保形氮化物層的厚度在3nm-12nm的范圍內。?
4.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述外延硅化合物是鍺化硅。?
5.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述外延硅化合物是碳化硅。?
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