[實用新型]用于生成具有相位角配置的信號的裝置有效
| 申請號: | 201320617205.5 | 申請日: | 2012-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN204103878U | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發明(設計)人: | G·施羅姆;N·拉古拉曼;F·帕耶 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H03K5/13 | 分類號: | H03K5/13 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 生成 具有 相位角 配置 信號 裝置 | ||
1.一種用于生成具有相位角配置的信號的裝置,其特征在于,所述裝置包括:?
延遲線,具有多個延遲元件,其中每一個延遲元件包括:?
第一差分延遲單元;以及?
第二差分延遲單元,用于從所述第一差分延遲單元接收輸出信號,所述第二差分延遲單元用于生成控制信號。?
2.根據權利要求1所述的裝置,其中所述第一差分延遲單元和所述第二差分延遲單元具有相同的設計。?
3.根據權利要求1所述的裝置,其中所述第一差分延遲單元和所述第二差分延遲單元具有耦合到相應的可變電抗器的輸出節點。?
4.根據權利要求3所述的裝置,其中每一個可變電抗器包括:?
第一晶體管,包括:?
柵極端子,耦合到具有可調諧信號的節點;?
漏極端子,耦合到具有來自所述第一差分延遲單元的所述輸出信號的節點;以及?
源極端子,耦合到另一晶體管。?
5.根據權利要求4所述的裝置,其中所述另一晶體管包括第二晶體管,所述第二晶體管包括:?
柵極端子,耦合到具有邏輯低信號的節點;以及?
漏極端子和源極端子,所述漏極端子和所述源極端子彼此耦合并且耦合到所述第一晶體管的所述源極端子。?
6.根據權利要求1所述的裝置,其中所述第一差分單元包括:?
第一p-型晶體管,用于根據施加在所述第一p-型晶體管的柵極端子上?的第一偏壓來提供電流;以及?
P-差分共源共柵對,包括:?
第二p-型晶體管,用于接收輸入信號;以及?
第三p-型晶體管,與所述第二p-型晶體管共源共柵,所述第三p-晶體管用于在所述第三p-晶體管的柵極端子上接收所述第一偏壓。?
7.根據權利要求6所述的裝置,其中所述第三p-晶體管具有耦合到承載所述輸出信號的第一輸出節點的漏極/源極端子。?
8.根據權利要求6所述的裝置,其中所述p-差分共源共柵對包括:?
第四p-型晶體管,用于接收互補信號,所述互補信號與所述輸入信號互補;以及?
第五p-型晶體管,與所述第四p-型晶體管共源共柵,所述第五p-晶體管用于在所述第五p-晶體管的柵極端子上接收所述第一偏壓。?
9.根據權利要求8所述的裝置,其中所述第五p-晶體管具有耦合到第二輸出節點的漏極/源極端子,所述第二輸出節點承載與所述輸出信號互補的互補信號。?
10.根據權利要求6所述的裝置,還包括:?
第二n-型晶體管,與所述第一p-型晶體管的所述漏極/源極端子耦合;以及?
第三n-型晶體管,與所述第二n-型晶體管串聯耦合。?
11.根據權利要求10所述的裝置,其中所述第二n-型晶體管和所述第三n-型晶體管在其各自的柵極端子上接收輸入信號。?
12.根據權利要求10所述的裝置,其中所述第三n-型晶體管具有耦合到所述第一差分延遲單元的第一輸出節點的漏極/源極端子。?
13.根據權利要求10所述的裝置,還包括:?
第四n-型晶體管,與所述第一p-型晶體管的所述漏極/源極端子耦合;以及?
第五n-型晶體管,與所述第四n-型晶體管串聯耦合。?
14.根據權利要求13所述的裝置,其中所述第四n-型晶體管和所述第五n-型晶體管在其各自的柵極端子上接收互補輸入信號。?
15.根據權利要求13所述的裝置,其中所述第四n-型晶體管具有耦合到所述第一差分延遲單元的第二輸出節點的源極/漏極端子。?
16.根據權利要求1所述的裝置,其中所述第一差分單元包括:?
第一n-型晶體管,用于根據施加在所述第一n-型晶體管的柵極端子上的第二偏壓來提供電流。?
17.根據權利要求13所述的裝置,其中所述第一差分單元包括:?
n-差分共源共柵對,包括:?
第七n-型晶體管,用于接收輸入信號;以及?
第六n-型晶體管,與所述第七p-型晶體管共源共柵,所述第六p-晶體管用于在所述第六p-晶體管的柵極端子上接收所述第二偏壓。?
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