[實用新型]一種基于CMOS工藝的斬波帶隙基準電路及參考電壓芯片有效
| 申請號: | 201320615355.2 | 申請日: | 2013-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN203552113U | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發明(設計)人: | 譚遷寧;喬愛國;劉寶生 | 申請(專利權)人: | 深圳市芯海科技有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 cmos 工藝 斬波帶隙 基準 電路 參考 電壓 芯片 | ||
1.一種基于CMOS工藝的斬波帶隙基準電路,其特征在于,其輸入端與時鐘單元連接,所述電路包括:?
根據所述時鐘單元輸出的調制/解調時鐘信號控制所述斬波調制開關通斷,以改變所述調制單元的結構,從而生成兼具正、負溫度系數的基準電壓的調制單元,所述調制單元具有多個斬波調制開關,所述基準電壓根據所述調制/解調時鐘信號的電平高低,存在相對的正、負電壓偏差,所述調制單元的時鐘輸入端為所述電路的輸入端;?
對所述基準電壓進行斬波,并反饋給所述調制單元將所述基準電壓調制到高頻,同時生成運放失調電壓和噪聲信號的斬波運放單元,所述運放失調電壓和所述噪聲信號不被調制,所述斬波運放單元的第一輸入端和第二輸入端分別與所述調制單元的第一運放輸出端和第二運放輸出端連接,所述斬波運放單元的輸出端與所述調制單元的反饋端連接;?
根據所述時鐘單元輸出的調制/解調時鐘信號將高頻基準電壓解調到基頻,并將所述運放失調電壓和所述噪聲信號調制到高頻的解調單元,所述解調單元的第一信號輸入端和第二信號輸入端分別與所述斬波運放單元的第一信號輸出端和第二信號輸出端連接,所述解調單元的時鐘輸入端同時為所述電路的輸入端;?
濾除高頻運放失調電壓和高頻噪聲信號,并對分別具有正、負電壓偏差的基準電壓求和取平均,以輸出基準信號的濾波單元,所述濾波單元的輸入端與所述解調單元的輸出端連接,所述濾波單元的輸出端為所述電路的輸出端。?
2.如權利要求1所述的電路,其特征在于,所述調制單元包括:?
第一電流鏡、第二電流鏡、第三電流鏡、第四電流鏡、第五電流鏡、第六電流鏡、第七電流鏡、第八電流鏡、第九開關管、第十開關管、第一開關、第一反向開關、第二開關、第二反向開關、第三開關、第三反向開關、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4及電阻R5;?
所述第一電流鏡至所述第八電流鏡的電流輸入端同時與電源電壓連接,所述第一電流鏡至所述第八電流鏡的控制端同時為所述調制單元的反饋端,所述第一電流鏡的電流輸出端為所述調制單元的第一信號輸出端與電阻所述R4的一端連接,所述電阻R4的另一端為所述調制單元的第一運放輸出端與所述第九開關管的電流輸入端連接,所述第九開關管的電流輸出端接地,所述第九開關管的控制端與所述電阻R1的一端連接,所述電阻R1的另一端同時與所述電阻R2的一端和所述第一開關的一導通端連接,所述第一開關的另一導通端接地,所述電阻R2的另一端同時與所述電阻R3的一端和所述第一反向開關的一導通端連接,所述第一反向開關的另一導通端接地,所述電阻R3的另一端與所述第十開關管的控制端連接,所述第十開關管的電流輸出端接地,所述第十開關管的電流輸入端為所述調制單元的第二運放輸出端與所述電阻R5的一端連接,所述電阻R5的另一端為所述調制單元的第二信號輸出端與所述第八電流鏡的電流輸出端連接,所述第三開關管至所述第六電流鏡的電流輸出端均同時與所述第二反向開關的一導通端和所述第二開關的一導通端連接,所述第二反向開關的另一導通端與所述第九開關管的控制端連接,所述第二開關的另一導通端與所述第十開關管的控制端連接,所述第二開關管和所述第七電流鏡的電流輸出端均同時與所述第三開關的一導通端和所述第三反向開關的一導通端連接,所述第三開關的另一導通端同時為所述調制單元的第一運放輸出端,所述第三反向開關的另一導通端同時為所述調制單元的第二運放輸出端,所述第一開關至所述第三開關的控制端為所述調制單元的時鐘輸入端,所述第一反向開關至所述第三反向開關的控制端同時為所述調制單元的時鐘輸入端。?
3.如權利要求2所述的電路,其特征在于,所述第一電流鏡至所述第八電流鏡均為P型MOS管;?
所述P型MOS管的源極為所述第一電流鏡至所述第八電流鏡的電流輸入端,所述P型MOS管的漏極為所述第一電流鏡至所述第八電流鏡的電流輸出端,所述P型MOS管的柵極為所述第一電流鏡至所述第八電流鏡的控制端。?
4.如權利要求2所述的電路,其特征在于,所述第九開關管和所述第十開關管均為PNP型三極管;?
所述PNP型三極管的發射電極為所述第九開關管和所述第十開關管的電源輸入端,所述PNP型三極管的集電極為所述第九開關管和所述第十開關管的電源輸出端,所述PNP型三極管的基極為所述第九開關管和所述第十開關管的控制端。?
5.如權利要求2所述的電路,其特征在于,所述第一開關與所述第一反向開關、所述第二開關與所述第二反向開關、所述第三開關與所述第三反向開關均為CMOS互補開關。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市芯??萍加邢薰?,未經深圳市芯??萍加邢薰驹S可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320615355.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





