[實用新型]陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201320613176.5
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN203480181U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 李田生;謝振宇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)是一種主要的平板顯示裝置。現有的陣列基板（Array?Substrate）包括：柵線、數據線、薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，簡稱為TFT)以及像素電極。柵線橫向設置在襯底基板上，數據線縱向設置在襯底基板之上，柵線與數據線的交叉處設置有TFT。TFT為有源開關元件。

如圖1所示，現有的陣列基板包括：柵極10、柵絕緣層20、有源層30、源電極50、漏電極60、鈍化層70。上述結構皆設置于襯底基板80上。其中柵極10與柵線一體成型，源電極50、漏電極60與數據線一體成型，漏電極60與像素電極90電連接。當柵線中輸入導通信號時，有源層30導電，數據線的數據信號可從源電極50經TFT溝道31到達漏電極60，最終輸入至像素電極90。像素電極90得到信號后與公共電極91形成用于驅動液晶轉動的電場。

目前為了適應更高的集成度，高PPI產品已經成為顯示的主流，但就此產品而言，制備高PPI的產品要求較高，需要7次構圖工藝形成結構圖形來完成，因為這樣才能集成GOA技術（GOA技術即Gate?Driver?on?Array（陣列基板行驅動技術），是直接將柵極驅動電路(Gate?driver?ICs)制作在陣列基板上，來代替由外接矽晶片制作的驅晶片一種技術。該技術的應用可直接做在面板周圍，減少制作程序，且降低產品成本，提高TFT-LCD面板的高集成度，使面板能更薄型化）以及過孔制備的足夠小。每一次構圖工藝中又分別包括掩膜曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，其中刻蝕工藝包括干法刻蝕和濕法刻蝕，所以構圖工藝的次數可以衡量制造TFT-LCD陣列基板的繁簡程度，減少構圖工藝的次數就意味著制造成本的降低。

傳統的ADS模式的TFT-LCD陣列基板的制程如圖3所示。ADSDS（簡稱ADS，ADvanced?Super?Dimension?Switch，高級超維場轉換技術）。ADS是京東方自主創新的以寬視角技術為代表的核心技術統稱。是平面電場寬視角核心技術-高級超維場轉換技術，其核心技術特性描述為：通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push?Mura）等優點。首先，通過第一次構圖工藝在玻璃基板（glass）上形成柵線；然后，沉積柵絕緣層20和有源層30，通過第二次構圖工藝形成有源層30圖形；然后，沉積像素電極，通過第三次構圖工藝形成像素電極；然后，在柵絕緣層20上通過第四次構圖工藝形成過孔（GI過孔）；然后，沉積金屬層，通過第五次構圖工藝形成信號線和有源層30圖形，其中信號線通過GI過孔與柵線實現導通，并且在溝道區域形成信號線和有源層30的圖形；然后，沉積鈍化層（PVX），并通過第六次構圖工藝形成鈍化層過孔；最后，沉積導電層，并通過第七次構圖工藝形成公共電極，由此，共七次掩膜版工藝來完成陣列基板的結構圖形。

由此可見，目前對于TFT-LCD陣列基板制程來說，當制備高PPI并且包含GOA的產品時，為了布線密集等因素往往在制備過程中采用7mask制備，故常常由于mask較多產量得不到提升；并且，現有TFT-LCD陣列基板中溝道的形成是利用刻蝕形成的，往往由于刻蝕過程中工藝和設備等原因造成溝道不良，而且此種不良在產線中經常高發，影響產品品質。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種陣列基板及顯示裝置，能夠減少制程，提高產品品質。

本實用新型所提供的技術方案如下：

一種陣列基板，包括：

襯底基板；

形成于所述襯底基板之上的柵極；

形成于所述柵極之上，并覆蓋整個所述襯底基板的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上設有柵極絕緣層過孔，且所述柵極絕緣層過孔處于至少一部分所述柵極的上方；

形成于所述柵極絕緣層之上的像素電極；

與所述像素電極同層設置的第一透明導電部；

與所述像素電極同層設置的第二透明導電部，所述第二透明導電部與所述第一透明導電部分別位于所述柵極的兩側的位置；