[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320612975.0
• 申請(qǐng)日: 2013-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN203690305U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·羅伊格-吉塔特;P·莫恩斯;P·范米爾貝克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包含：?

限定主表面的半導(dǎo)體基板；?

至少包含關(guān)于主表面沿大體垂直取向延伸的第一導(dǎo)電類型的第一柱和第二導(dǎo)電類型的第二柱的第一區(qū)域，其中，第一導(dǎo)電類型與第二導(dǎo)電類型相反，并且，第一柱被配置為垂直電流路徑；?

與主表面分開并鄰接第一區(qū)域的下部的第一導(dǎo)電類型的第二區(qū)域；?

在主表面與第二區(qū)域之間鄰接第一區(qū)域的第二導(dǎo)電類型的第三區(qū)域；?

第三區(qū)域的一部分與主表面之間的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；?

鄰接體區(qū)的第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)；和?

鄰接體區(qū)和源極區(qū)并被配置為控制溝道區(qū)域的控制電極。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于還包含：處于體區(qū)與第三區(qū)域之間并被配置為鏈接溝道區(qū)域的漏極端與第一區(qū)域的第一導(dǎo)電類型的第四區(qū)域。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第三區(qū)域具有小于或等于5.0×10¹⁵原子/cm³的摻雜劑濃度。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第三區(qū)域具有1.0×10¹⁵原子/cm³～3.0×10¹⁵原子/cm³的摻雜劑濃度。?

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第一導(dǎo)電類型的柱鄰接第二區(qū)域和第三區(qū)域。?

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第三區(qū)域具有5微米～15微米的厚度。?

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于還包含與源極區(qū)和第三區(qū)域電氣耦合的導(dǎo)電層。?

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包含：?

基板；?

覆蓋基板的半導(dǎo)體層，其中，半導(dǎo)體層具有與基板分開的主表面；?

與主表面相鄰并向著基板延伸的垂直取向的電荷平衡區(qū)域；?

與主表面的另一部分相鄰的第一導(dǎo)電類型的體區(qū)；?

與主表面分開并處于體區(qū)與基板之間的第一導(dǎo)電類型的第一水平取向的摻雜區(qū)，其中，第一水平取向摻雜區(qū)鄰接垂直取向電荷平衡區(qū)域；?

與主表面分開并處于第一水平取向摻雜區(qū)與基板之間的第二導(dǎo)電類型的第二水平取向摻雜區(qū)；和?

與體區(qū)和第一水平取向摻雜區(qū)電氣絕緣的柵電極，?

其中：?

半導(dǎo)體器件的晶體管結(jié)構(gòu)包含第一水平取向摻雜區(qū)、體區(qū)和柵電極；?

第二水平取向摻雜區(qū)被配置為使雪崩區(qū)域從柵電極以及從垂直取向電荷平衡結(jié)構(gòu)的上部向半導(dǎo)體層偏移；并且?

垂直取向的電荷平衡結(jié)構(gòu)使晶體管結(jié)構(gòu)和基板相互電連接。?

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第二水平取向摻雜區(qū)具有小于或等于5.0×10¹⁵原子/cm³的摻雜劑濃度。?

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第二水平取向摻雜區(qū)具有1.0×10¹⁵原子/cm³～3.0×10¹⁵原子/cm³的摻雜劑濃度。?

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第二水平取向摻雜區(qū)具有5微米～15微米的厚度。?

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，柵電極包含溝槽柵電極。?

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，垂直取向電荷平衡區(qū)域包含多個(gè)第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型柱。?

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于還包含在體區(qū)中形成的源極區(qū)和與源極區(qū)和第二水平取向摻雜區(qū)電氣耦合的導(dǎo)電層。?