[實用新型]基于高能離子注入方式的通道分壓場效應管

有效

• 申請號: 201320612532.1
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN203521427U
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 關仕漢;李勇昌;彭順剛;鄒鋒;王常毅
• 申請（專利權）人: 桂林斯壯微電子有限責任公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.基于高能離子注入方式的通道分壓場效應管，其特征是，主要由漏極（1）、柵極（2）、源極（3）、N+襯底（4）、P型外延層（5）、n+型縱向通道（6）、n型橫向通道（7）、良導體（8）、二氧化硅氧化層（9）、體區P（10）、P+層（11）、金屬塞（12）、源區N+（13）、硼磷硅玻璃（14）、以及鋁層（15）組成；其中N+襯底（4）的下表面背金形成功率場效應管的漏極（1）；P型外延層（5）位于N+襯底（4）的上表面；n+型縱向通道（6）處于P型外延層（5）中，并將P型外延層（5）分隔為多塊；n型橫向通道（7）的左右兩側搭接在2塊P型外延層（5）的上部；n+型縱向通道（6）的頂部與n型橫向通道（7）相連，n+型縱向通道（6）的底部與N+襯底（4）相連；每塊P型外延層（5）的正上方各立設有一塊柱形良導體（8），良導體（8）的側面和底面包覆有二氧化硅氧化層（9），良導體（8）向外引出形成功率場效應管的柵極（2）；多個體區P（10）分別位于n型橫向通道（7）的上方并填充在良導體（8）周邊所留間隙處；體區P（10）與P型外延層（5）通過開設在n型橫向通道（7）上的接觸孔在功能區外圍是連接通的；每個良導體（8）的左右兩側各設有1個源區N+（13），且源區N+（13）處于源區P的上方；源區N+（13）與源區N+（13）之間的空隙形成接觸槽，每個接觸槽的底部均設有P+層（11），每個接觸槽的內部均填充有金屬塞（12）；2個源區N+（13）和所夾良導體（8）的上方各覆蓋有一硼磷硅玻璃（14）；鋁層（15）填充覆蓋在金屬塞（12）和硼磷硅玻璃（14）的上表面，鋁層（15）的上部形成功率場效應管的源極（3）。