[實用新型]一種以玻璃為基板的LED芯片封裝體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320611381.8 | 申請日： | 2013-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN203553207U | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫明;莊文榮;戴堅;陳興保 | 申請（專利權(quán)）人： | 孫明;陳興保;上海亞浦耳照明電器有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200137 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 玻璃 led 芯片 封裝 | ||
1.一種以透光材料為基板的LED芯片封裝體，包括透光基板及粘附于透光基板上的兩顆或兩顆以上LED芯片，及直接制備于透光基板上，用于與外部電源導(dǎo)通的電極，其特征在于所述的透光基板為圖形化透光基板，在透光基板表面鍍有圖形化的氮化鋁層，芯片黏貼固定于透光基板上的圖形化的氮化鋁層上，芯片之間通過引線導(dǎo)通?，芯片、引線及整個透光基板除電極區(qū)域均涂覆有熒光膠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝體，其特征在于所述的圖形化的透光基板，為圖形化的玻璃基板或陶瓷基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片封裝體，其特征在于所述的圖形化的玻璃基板或陶瓷基板，圖形化包括陣列式周期性排列的凸起半球形、圓錐形、尖錐形、多面體錐形或蒙古包形的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片封裝體，其特征在于所述的圖形化的玻璃基板的凸起周期為1μm-10μm，底面寬度為5μm-25μm，高度為?0.1μm-5μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝體，其特征在于所述的圖形化的氮化鋁層，其圖形為網(wǎng)狀空隙式圖形化結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED芯片封裝體，其特征在于所述的空隙網(wǎng)狀式圖形化結(jié)構(gòu)，其空隙部分為規(guī)則等邊三角形或正等邊多邊形，每條邊長大于0.8μm，面積在10μm2-1000μm2之間，相鄰空隙之間的距離不超過10μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片封裝體，其特征在于所述的網(wǎng)狀空隙式圖形化結(jié)構(gòu)，其空隙部分為規(guī)則等邊三角形或正等邊多邊形，每條邊長大于2μm，面積在50μm2-500μm2之間，相鄰空隙之間的距離為5μm-8μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝體，其特征在于所述的電極直接制備于透光基板上，電極由Cr和Ni兩層構(gòu)成，Cr層直接制備于透光基板上，Ni層制備于Cr層上面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝體，其特征在于所述的Cr層的厚度為0.5-1μm，Ni層的厚度為50-100nm。
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