[實用新型]一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201320607504.0
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN203456471U
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 曾勉;尹傛俊;涂志中;金在光
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。

背景技術

TFT-LCD（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管-液晶顯示器）作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點，而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。

在TFT-LCD中，作為開關元件的薄膜晶體管TFT的質量尤為重要，TFT的一般結構可以如圖1所示，主要包括源極101、漏極102以及柵極103，其中，源極101與漏極102通常采用同層金屬材料制成，源漏極區域與柵極金屬層之間還具有半導體有源層11，位于柵極103區域上方的半導體有源層11形成TFT溝道10（圖1中虛線所示）。現有技術中，制作該半導體有源層11的材料為非晶硅（A-Si）。這樣一種結構的TFT的遷移率大約為0.5cm²/Vs。然而，隨著顯示器件尺寸逐漸變大，要求顯示器件具有更高分辨率和高頻驅動性能。因此，要求TFT具有高遷移率和高性能。為了提高半導體有源層的電子遷移率，通常采用電子遷移率是非晶硅層遷移率幾十倍的半導體氧化物材料，如IGZO（Indium?Gallium?Zinc?Oxide，銦鎵鋅氧化物），作為TFT的半導體有源層。

現有技術中，采用IGZO作為半導體有源層11的TFT結構一般可以采用如圖2所示的孔對孔方式（Hole?Type），其中TFT的源極101與TFT的漏極102分別通過過孔21和過孔22與IGZO半導體有源層11電連接；或者如圖3所示的柱狀方式（Bar?Typer），其中TFT的源極101與TFT的漏極102覆蓋IGZO半導體有源層11的兩側。然而上述兩種結構中的TFT溝道10的寬長比（W:L）相對較小，因此TFT的源極和漏極在導通的時候需要的時間較長，這樣一來會降低TFT溝道導通時的響應速度，從而降低顯示裝置的顯示效果。

實用新型內容

本實用新型的實施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，在不影響像素開口率的前提下，可以增大薄膜晶體管溝道的寬長比。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

本實用新型實施例的一方面提供一種薄膜晶體管，包括源極、漏極和柵極，以及半導體有源層；

所述源極覆蓋所述半導體有源層的四周，所述漏極位于所述半導體有源層的中心區域，在所述源極和漏極之間設有絕緣層。

本實用新型實施例的另一方面提供一種陣列基板，包括：由柵線和數據線界定的呈矩陣形式排列的多個像素單元，所述像素單元包括像素電極，還包括如上所述的任意一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的源極與所述數據線電連接；所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極電連接。

本實用新型實施例的另一方面提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。

本實用新型實施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。該薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極，以及半導體有源層。其中源極覆蓋半導體有源層的四周，漏極位于半導體有源層的中心區域，在源極和漏極之間設有絕緣層。這樣一來，可以在不影響像素開口率的前提下，增大薄膜晶體管溝道的寬長比，從而提高薄膜晶體管溝道導通時的響應速度，提升顯示裝置的顯示效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術提供的一種TFT的結構示意圖；

圖2為現有技術提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖3為現有技術提供的另一種陣列基板的結構示意圖；

圖4為本實用新型實施例提供的一種TFT的結構示意圖；

圖5為本實用新型實施例提供的一種陣列基板俯視結構示意圖；

圖6為本實用新型實施例提供的另一種TFT結構示意圖；

圖7為本實用新型實施例提供的另一種陣列基板俯視結構示意圖；

圖8為本實用新型實施例提供的一種TFT的制造方法流程圖；

圖9為本實用新型實施例提供的另一種TFT的制造方法流程圖。

具體實施方式