[實用新型]雙腔室真空制膜設備有效
| 申請號: | 201320606145.7 | 申請日: | 2013-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN203569182U | 公開(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發明(設計)人: | 崔慧敏;張海林;劉國霞;滕玉朋 | 申請(專利權)人: | 青島賽瑞達電子裝備股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/26 | 分類號: | C23C16/26;C23C14/06 |
| 代理公司: | 山東清泰律師事務所 37222 | 代理人: | 寧燕 |
| 地址: | 266000 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙腔室 真空 設備 | ||
1.一種雙腔室真空制膜設備,其特征在于它包括送料腔室、活動密封機構、工藝腔室、送料裝置,其中送料腔室上設置進出料口,送料腔室與工藝腔室連接,送料腔室與工藝腔室之間設置活動密封機構,送料裝置位于送料腔室和工藝腔室內,送料腔室及工藝腔室上均設置真空機構。
2.根據權利要求1所述的雙腔室真空制膜設備,其特征在于所述活動密封機構包括門板與密封圈,其中門板固定在送料裝置上,門板所在平面與送料腔室截面平行,密封圈固定在送料腔室與工藝腔室結合處。
3.根據權利要求1或2所述的雙腔室真空制膜設備,其特征在于所述送料裝置包括主傳動軸與送料平臺。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





