[實用新型]顯示面板及顯示裝置有效
申請號: | 201320605280.X | 申請日: | 2013-09-27 |
公開(公告)號: | CN203445127U | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
發明(設計)人: | 張家豪 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
現有的顯示面板大多包括兩個基板:第一基板和第二基板,兩基板四周通過封框膠封框形成顯示面板。例如有機發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode,OLED)顯示面板,第一基板為OLED陣列基板,第二基板為保護用的玻璃基板,兩基板四周通過封框膠封框后將OLED陣列密封在兩基板間。封框膠除了將兩基板粘在一起外,另一個作用是使顯示面板側向具有隔水隔氧性。但由于封框膠這種材質本身隔水隔氧性較差,要減小顯示面板側向的水、氧穿透率,提高顯示面板的壽命,就需要加大封框膠的寬度。如圖1所示,為現有的OLED顯示面板示意圖,包括:由若干OLED110形成像素陣列的OLED陣列基板120、玻璃基板130及四周的封框膠140。可看出封框膠140的寬度W'較大,大約在2mm~3mm。
雖然增大封框膠的寬度在一定程度上阻隔了水、氧的透過,但由于封框膠材料本身隔水隔氧性較差的缺陷,長時間使用后也會有水、氧透過,無法很好地隔水隔氧。同時也使得顯示面板的邊框寬度增加,無法制作出時下流行的窄邊框顯示面板。
實用新型內容
(一)要解決的技術問題
本實用新型要解決的技術問題是:如何使顯示面板側向保持較好的隔水隔氧性。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種顯示面板,包括:由封框膠封框的第一基板和第二基板,所述封框膠外側還形成有無機材料薄膜。
其中,所述無機材料薄膜為金屬氧化物薄膜、硅的氧化物薄膜和硅的氮化物薄膜中之一的單層薄膜。
其中,所述無機材料薄膜為金屬氧化物薄膜、硅的氧化物薄膜和硅的氮化物薄膜中至少兩種的多層薄膜。
其中,所述金屬氧化物薄膜為Al2O3薄膜。
其中,所述封框膠的寬度不超過1mm。
其中,所述無機材料薄膜的寬度為不超過10μm。
進一步的,本實用新型還提供一種采用上述顯示面板的顯示裝置。
(三)有益效果
本實用新型的顯示面板的封框膠外側形成有無機材料薄膜,無機材料薄膜相對于封框膠具有更好的隔水隔氧性,因此使得顯示面板側向具有更好的隔水隔氧性。
附圖說明
圖1是現有技術的一種顯示面板結構示意圖;
圖2是本實用新型實施例的一種顯示面板結構示意圖;
圖3是本實用新型實施例的另一種顯示面板結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例,對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型,但不用來限制本實用新型的范圍。
如圖2所示,本實用新型實施例的顯示面板,包括:由封框膠240封框的第一基板220和第二基板230。以OLED顯示面板為例(不限于OLED面板,也可以是液晶面板),第一基板220為OLED陣列基板,其上包括由OLED210形成的像素陣列,第二基板230為玻璃基板,兩基板四周通過封框膠240封框后將OLED陣列密封在兩基板間。為了使顯示面板側向保持較好的隔水隔氧性,本實施例中在所述封框膠240外側還形成有一層無機材料薄膜250。
本實施例中,無機材料薄膜250為金屬氧化物薄膜、硅的氧化物薄膜或硅的氮化物薄膜。由于鋁(Al)具有易被氧化的化學特性,而且Al2O3具有極好的隔水隔氧性,優選地,金屬氧化物薄膜為Al2O3薄膜。
進一步地,為了到達更好地隔水隔氧性,可以在封框膠240外側形成多層無機材料薄膜。如圖3所示,封框膠240外側形成有兩層無機材料薄膜:第一無機材料薄膜260及在其外側形成的第二無機材料薄膜270,第一無機材料薄膜260和第二無機材料薄膜270可分別由金屬氧化物薄膜、硅的氧化物薄膜或硅的氮化物薄膜中不同的材料形成。
本實施例的顯示面板的封框膠外側形成有無機材料薄膜,無機材料薄膜本身具有更好的隔水隔氧性,因此使得顯示面板側向具有更好的隔水隔氧性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的