[實(shí)用新型]陣列基板、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320604809.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203521411U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉圣烈;崔承鎮(zhèn);金熙哲;宋泳錫 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/12 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/12;H01L29/423 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極、隔離層、源極、漏極,其特征在于,
所述柵極、柵線包括透明導(dǎo)電材料層;
所述柵絕緣層不超出柵極和柵線上方;
所述隔離層覆蓋柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、柵線、像素電極;
所述源極、漏極位于隔離層上方,并分別通過(guò)隔離層中的源極過(guò)孔和漏極過(guò)孔與半導(dǎo)體層電連接;漏極還通過(guò)隔離層中的第一過(guò)孔與像素電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述柵絕緣層和半導(dǎo)體層圖形相同,且只位于柵極上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述柵極、柵線還包括位于透明導(dǎo)電材料層上的柵金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述隔離層為平坦化層、鈍化層、刻蝕阻擋層中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,
所述隔離層為平坦化層,所述隔離層由感光樹(shù)脂材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述源極、漏極位于隔離層上。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
如權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





